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[圖文(wen)]2013年(nian)8月19日-我國碳化硅(gui)行(xing)業經過40多年(nian)的發展取得了長足的進步(bu),無論是(shi)冶煉(lian)技術、生產(chan)裝備還是(shi)能耗(hao)指標都已經達到水平;生產(chan)能力、實際(ji)產(chan)量(liang)、國內消(xiao)費量(liang)以及產(chan)品。

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碳化硅生(sheng)產新工藝新技術實(shi)用手冊1冊數:全(quan)二(er)卷16開(kai)精裝作(zuo)者:編委會出版社:中國(guo)科(ke)技文化出版社2009年2月(yue)出版市場價:568優惠價290.00元。

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本發明涉及一種碳化(hua)硅表面改性方法。將碳化(hua)硅粉末焙燒用(yong)雙氧水與濃硫酸混合溶液(ye)浸泡;取出用(yong)去離子水沖洗干(gan)凈并烘干(gan),再(zai)與偶聯劑反應1~4小時,把(ba)碳化(hua)硅再(zai)放入丙(bing)酮溶液(ye)。

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本發(fa)明提供一(yi)種碳化硅(gui)單(dan)(dan)晶的制造(zao)方法(fa),在使(shi)碳化硅(gui)單(dan)(dan)晶在單(dan)(dan)晶基(ji)板(ban)上外延生長(chang)時,能(neng)夠減少在碳化硅(gui)單(dan)(dan)晶內(nei)產(chan)生的表面缺陷。該方法(fa)是(shi)在單(dan)(dan)晶基(ji)板(ban)(1)的表面使(shi)碳化硅(gui)單(dan)(dan)晶層(ceng)外延。

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2010年9月(yue)19日-本標(biao)準規(gui)定了碳(tan)化(hua)(hua)硅(gui)磨(mo)料中的(de)二氧化(hua)(hua)硅(gui)、游離硅(gui)、游離碳(tan)、總(zong)碳(tan)、碳(tan)化(hua)(hua)硅(gui)、三氧化(hua)(hua)二鐵的(de)測定方法(fa)。本標(biao)準適用于(yu)碳(tan)化(hua)(hua)硅(gui)磨(mo)料及碳(tan)化(hua)(hua)硅(gui)含量大于(yu)等(deng)于(yu)95%的(de)結晶塊(kuai)。

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新(xin)聞(wen)資訊(xun):首頁;;新(xin)聞(wen)資訊(xun);;碳化(hua)(hua)硅(gui)(gui)的(de)產(chan)品(pin)分類與功(gong)能(neng)說(shuo)明碳化(hua)(hua)硅(gui)(gui)的(de)產(chan)品(pin)分類與功(gong)能(neng)說(shuo)明碳化(hua)(hua)硅(gui)(gui)有黑碳化(hua)(hua)硅(gui)(gui)和綠碳化(hua)(hua)硅(gui)(gui)兩個常用的(de)基本(ben)品(pin)種,都屬α-SiC。①。

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《碳(tan)化硅產品出(chu)口質量(liang)安全手冊》座談會在鄭州(zhou)舉(ju)行出(chu)自《磨(mo)料磨(mo)具(ju)通(tong)訊》2012年第12期(qi)。該刊暫未被《中文(wen)科技期(qi)刊數據(ju)庫》收錄,故無法(fa)提供(gong)全文(wen)下載。

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更新日期:2014-10-11,英才圖書文化發(fa)展(zhan)有限(xian)公司(si),專業(ye)生產碳化硅生產新工(gong)藝新技術實用手冊,15100727882,400-0829993(來自一呼百應企業(ye)商(shang)鋪b2b.youboy.)。

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類別:礦物--碳(tan)硅(gui)范圍(wei):國內(nei)買/賣(mai)(mai):賣(mai)(mai)品(pin)名:碳(tan)化硅(gui)規(gui)格:SiC-70%minSiC-50%min數量:常(chang)年工廠大量供應價格:產地:安陽包裝:噸袋。

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碳(tan)化硅(gui)(gui)(gui)有黑碳(tan)化硅(gui)(gui)(gui)和(he)綠碳(tan)化硅(gui)(gui)(gui)兩個常用(yong)的基該(gai)品種,都屬(shu)-SiC。黑碳(tan)化硅(gui)(gui)(gui)含SiC約95%,其韌性(xing)高于綠碳(tan)化硅(gui)(gui)(gui),大(da)多用(yong)于加工抗(kang)張強度低的材料(liao),如玻璃(li)、陶瓷、石(shi)材、耐火材料(liao)。

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2012年10月3日-碳(tan)(tan)化硅的使用方法及注(zhu)意(yi)事項有以(yi)下四條:小編(bian)(bian)1、碳(tan)(tan)化硅產品(pin)包裝聚丙烯編(bian)(bian)織(zhi)袋與聚乙烯薄膜(mo)雙層包裝,分25公(gong)斤和50公(gong)斤兩種包裝。小編(bian)(bian)2、扒凈(或(huo)扒40%-。

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供應(ying)綠碳化硅(gui)微粉,供應(ying):產(chan)(chan)品名稱:綠碳化硅(gui)微粉(1200#)報價:15000產(chan)(chan)品規格(ge):原產(chan)(chan)地:河南洛陽應(ying)用行業:金屬加工,陶瓷加工,電子信息(xi)材料加工,磨料制造應(ying)用。

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2012年12月22日-碳(tan)化硅中硅的(de)(de)含量決定碳(tan)化硅的(de)(de)硬度。下面我們(men)來看一下碳(tan)化硅微粉的(de)(de)主要分析檢測方法(fa)有哪(na)些檢測辦(ban)法(fa):硅的(de)(de)含量需要原子(zi)吸收(shou)檢測。碳(tan)化硅粒徑需要電阻法(fa)顆粒。

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《SN/T0256-1993出(chu)(chu)口碳(tan)化硅(gui)分析方(fang)法(fa)碳(tan)化硅(gui)含量的測定》本標(biao)準規定了用(yong)于冶金脫氧劑(ji)和耐(nai)火材料的出(chu)(chu)口碳(tan)化硅(gui)中碳(tan)化硅(gui)含量的分析方(fang)法(fa)。本標(biao)準適用(yong)于出(chu)(chu)口中、低(di)品位(wei)。

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碳(tan)(tan)化硅(gui)電(dian)熱(re)(re)元(yuan)件(jian)(jian)概述碳(tan)(tan)化硅(gui)電(dian)熱(re)(re)元(yuan)件(jian)(jian)是選用(yong)優(you)質(zhi)綠(lv)色碳(tan)(tan)化硅(gui)為主(zhu)要(yao)原料,經加工制坯、高溫硅(gui)化、再(zai)結晶(jing)而成的棒狀(zhuang)非金屬高溫電(dian)熱(re)(re)元(yuan)件(jian)(jian)。該元(yuan)件(jian)(jian)與金屬電(dian)熱(re)(re)元(yuan)件(jian)(jian)相比(bi),具有使用(yong)。

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又(you)到了小(xiao)編(bian)為(wei)大(da)家產品知識的(de)時(shi)間(jian)了,對于碳(tan)化硅的(de)介紹相信大(da)家了解了不少(shao)了。小(xiao)編(bian)為(wei)大(da)家講講碳(tan)化硅的(de)應用(yong)方(fang)法:碳(tan)化硅現在在市場上被使用(yong)的(de)是相當廣泛的(de),。

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中國機床工(gong)具(ju)工(gong)業協會磨(mo)料磨(mo)具(ju)分會編纂的(de)《碳(tan)化硅產(chan)品出口質量(liang)安全(quan)手冊(ce)》評(ping)審會于2012年12月(yue)10日在鄭州(zhou)嵩山飯(fan)店舉行,出席(xi)此次會議的(de)有商務部(bu)對外貿(mao)易司安麗(li)(li)麗(li)(li)處長,中國。

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綠碳化(hua)硅(gui)是以(yi)石英(ying)砂(SIO2)和石油焦(C)及氯化(hua)鈉(na)(NAC1)為基本原(yuan)料在攝氏1800度以(yi)上高溫條(tiao)件下生成的非金屬礦(kuang)產品,它具有硬(ying)度高、膨脹(zhang)系數小、性脆、導熱性好等。

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碳化硅含量(liang)(liang)大于90、95%,常年(nian)使用產品(pin)數量(liang)(liang):10噸價格說明:協(xie)議產品(pin)規格:自然塊(kuai)或(huo)顆粒、200目細粉包裝說明:內塑(su)外(wai)編發布日期:2008-9-1915:41:00有效(xiao)期。

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2013年(nian)5月21日-2、碳(tan)化(hua)(hua)硅(gui)中硅(gui)的(de)含量決定(ding)碳(tan)化(hua)(hua)硅(gui)的(de)硬度。碳(tan)化(hua)(hua)硅(gui)的(de)粒徑大(da)小對線切割影響很大(da),但重要的(de)是(shi)碳(tan)化(hua)(hua)硅(gui)的(de)顆粒形狀。3、檢測辦(ban)法:硅(gui)的(de)含量需要原(yuan)子吸收檢測。

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本發明公開(kai)了(le)一種碳化(hua)(hua)硅(gui)微粉(fen)除碳雜質的方法,該方法包括以(yi)下步驟:首先向(xiang)碳化(hua)(hua)硅(gui)微粉(fen)中(zhong)注水造漿(jiang),加入(ru)分散(san)劑后(hou)調(diao)節pH值,后(hou)采(cai)用離心(xin)設(she)備(bei)對碳化(hua)(hua)硅(gui)漿(jiang)料離心(xin),接(jie)著將漿(jiang)料重(zhong)新。

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碳化(hua)硅寬帶隙(xi)半(ban)導體技術作(zuo)者(zhe):郝躍,彭軍,楊(yang)銀(yin)堂編(bian)著出(chu)版社(she):科(ke)學出(chu)版社(she)出(chu)版時間:2000.5叢(cong)(cong)編(bian)項:微電子學叢(cong)(cong)書(shu)本書(shu)介紹(shao)了碳化(hua)硅寬帶隙(xi)半(ban)導體的(de)基本性質,晶(jing)體及(ji)薄膜生長(chang)。

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