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2013年10月1日-baSiC-T營運成(cheng)本低(di)且自動化程度高,這推動碳(tan)化矽實現(xian)經濟型大規(gui)模生產。除了baSiC-T以外,PVATePla的(de)其它一系列設備已經用於電力電子產業。

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[圖文(wen)]在資(zi)金(jin)方面,由於(wu)碳化(hua)矽材料的(de)成本約(yue)占終零(ling)組件成本的(de)40%以上,加上生產時(shi)需要特定的(de)設備與制程(cheng),因此對(dui)於(wu)零(ling)組件廠商來說將(jiang)形成一個強大的(de)資(zi)金(jin)障礙。圖二SiC零(ling)組件。

銳的碳化矽功率MOSFET為臺達公司實現下一代太陽能轉換器_新能源

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市場報導:2007年碳化矽(SiC)晶圓將可達80萬片

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[圖文]在(zai)(zai)矽基(ji)板上面長晶,這種方法(fa)的意義在(zai)(zai)于要降低(di)大(da)尺寸晶圓(yuan)在(zai)(zai)生產(chan)為LED時(shi)的成本(ben)機械(xie)性能差不(bu)易切割通過激光劃片所克服,很大(da)的熱失配對(dui)外(wai)延層(ceng)形成壓應力因(yin)而不(bu)會。

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藍寶石碳化矽兩強相爭勝負未定,矽基板GaN基板可能會異軍突起

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[圖(tu)文]2012年11月29日-目前市場上(shang)LED用到的(de)襯底材料(liao)有藍寶石、碳化矽可以采(cai)用IC廠折舊的(de)自動(dong)化矽工藝線,設備(bei)折舊而矽襯底材料(liao)的(de)生(sheng)產技術已非常成(cheng)熟,大尺寸矽。

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(鐵氟龍、碳(tan)化矽、鉆石)鋁合(he)金(jin)硬質(zhi)陽極(ji)處理。(HardAnodizing-硬陽處理)主(zhu)要生產(chan)設(she)備、環保設(she)備及品檢儀器(qi):2002年11月參加廣州第十六屆中國國際表(biao)面(mian)。

矽襯底GaN基LED技術與前景-21IC中國電子網

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