碳化硅粉末中雜質元素的測定-《上海金屬.有色分冊》1992年05期
陶瓷(ci)材料等離(li)子發射光譜法微(wei)量雜質(zhi)元素測(ce)定微(wei)電子工(gong)業發動機雜質(zhi)分析高溫技術聚變裝置微(wei)量元素。
碳化硅微粉中的雜質太多怎么處理_百度知道
如碲(di)化鉛(PbTe)、砷化銦(yin)(InAs)、硫(liu)化鉛(PbS)、碳化硅(SiC)等。與金屬材料(liao)不(bu)同,半導體中雜質(zhi)含量和(he)外界(jie)條(tiao)件的(de)改變(bian)(如溫度(du)變(bian)化、受光(guang)照(zhao)射等),都會使半導體的(de)。
碳化硅_百度百科
怎樣去除碳化硅(gui)制品中的(de)雜質沒有任何一件(jian)事物(wu)是沒有雜質的(de),即(ji)便(bian)是很多化學原(yuan)料或者經過多重步驟(zou)產(chan)生的(de)高科技產(chan)品,所以,目前市場上(shang)出(chu)現的(de)碳化硅(gui)產(chan)品也(ye)有很多雜質。但(dan)是。
碳化硅中一般都含有什么雜質?_已解決-阿里巴巴生意經
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怎樣去除碳化硅制品中的雜質-新聞動態-淄博中晶碳素有限公司
本發明涉(she)及一種應用(yong)X射線熒光光譜法檢測碳(tan)化(hua)硅雜質含(han)量(liang)的方法,其(qi)步(bu)驟如(ru)下:1、制備(bei)測試樣(yang)片;2、制備(bei)標準樣(yang)片:①提純(chun)碳(tan)化(hua)硅的制樣(yang);②碳(tan)化(hua)硅提純(chun),制備(bei)出純(chun)品碳(tan)化(hua)硅;③。
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現在(zai)的原料主要成分是硅(gui)和碳化硅(gui)的混(hun)合(he)物,里面(mian)含有少量鐵雜(za)質,怎樣除去鐵,請各(ge)位(wei)賜教,謝(xie)(xie)謝(xie)(xie)。
應用X射線熒光光譜法檢測碳化硅雜質含量的方法-查詢下載-中國
2012年12月28日-碳化(hua)硅(gui)晶體中(zhong)的(de)雜(za)質是:鐵、鋁、鈣、鎂、硅(gui)等的(de)氧(yang)化(hua)物(wu)(wu)和碳化(hua)物(wu)(wu),以(yi)及(ji)它們(men)的(de)共(gong)熔物(wu)(wu)。這些雜(za)質在冶煉爐熱動力條件下,溫度在2100——2200℃時被(bei)蒸發排。
如何去除硅和碳化硅的混合物中的少量鐵雜質-非金屬-小木蟲-
[24]β-碳化硅(gui)因其相較(jiao)α-碳化硅(gui)擁有(you)更高的(de)比(bi)表(biao)面積,所以可(ke)用(yong)于非均相催(cui)化劑(ji)的(de)負載體(ti)(ti)。純的(de)碳化硅(gui)是無色(se)(se)的(de),工業用(yong)碳化硅(gui)由于含有(you)鐵等雜質而呈現棕色(se)(se)黑色(se)(se)晶體(ti)(ti)。
介紹有關碳化硅晶體中參雜的雜質|泰州市宏光金剛砂耐磨材料廠
開(kai)始時(shi)(shi)間:結(jie)束時(shi)(shi)間:雜質(zhi)碳(tan)加工工藝(yi)-催(cui)化劑,二氧(yang)化碳(tan),碳(tan)化硅,X射線,生產碳(tan)化硅版的出價(jia)/購買(mai)記錄Top一口價(jia):元(yuan)該物品已下架立即購買(mai)。
碳化硅-維基百科,自由的百科全書
導熱(re)率:碳(tan)(tan)化(hua)(hua)硅制品的導熱(re)率非常(chang)非常(chang)高,熱(re)膨(peng)脹(zhang)參數小(xiao)巧,抗(kang)熱(re)震性非常(chang)非常(chang)高,是優質(zhi)的耐火(huo)材料(liao)。3、電學屬(shu)(shu)性恒溫下(xia)工(gong)業碳(tan)(tan)化(hua)(hua)硅是一種(zhong)半導體,屬(shu)(shu)雜質(zhi)導電性。高純度(du)。
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阿里巴巴供應綠色碳化硅(gui)雜(za)質少(shao)硅(gui)含量(liang)(liang)98.5河(he)南SIC碳化硅(gui)生產(chan)基地,研(yan)磨材料,這里云(yun)集了眾(zhong)多(duo)的(de)供應商,采購(gou)商,制造(zao)商。這是供應綠色碳化硅(gui)雜(za)質少(shao)硅(gui)含量(liang)(liang)98.5河(he)南。
碳化硅雜質對石墨加熱棒溫度場的影響數值模擬研究_百度文庫
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舉報文(wen)(wen)檔介(jie)紹暫無描述文(wen)(wen)檔分(fen)類待分(fen)類文(wen)(wen)檔格式(shi).pdf文(wen)(wen)檔標簽(qian)加熱棒(bang)碳化硅石墨(mo)雜質(zhi)數值溫度評(ping)論評(ping)論的時候,請遵紀守法并(bing)注意語言文(wen)(wen)明,多給文(wen)(wen)檔。
碳化硅的特性和根本機能
碳化硅中(zhong)雜質的(de)(de)形(xing)態(tai)-碳化硅中(zhong)雜質的(de)(de)形(xing)態(tai)碳化硅的(de)(de)研發(fa)(fa)成(cheng)功并很(hen)好的(de)(de)利用是(shi)市場發(fa)(fa)展過(guo)程(cheng)中(zhong)的(de)(de)一大進步點,特別是(shi)對于(yu)1893年艾奇遜的(de)(de)發(fa)(fa)明為(wei)引子,由(you)此推(tui)出的(de)(de)國內由(you)趙廣和(he)。
供應綠色碳化硅雜質少硅含量98.5河南SIC碳化硅生產基地
2011年6月14日(ri)-碳(tan)化(hua)硅在現代工業生產(chan)中的應(ying)用范圍比(bi)較廣泛,比(bi)較為人們所了解的是(shi)應(ying)用于磨料、磨具領域。但(dan)是(shi)隨著(zhu)科學技術(shu)的進步,人們對碳(tan)化(hua)硅的認識也(ye)逐漸(jian)深入,由(you)此(ci)開發。
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碳化硅(gui)(SiC)是用石英砂(sha)、石油焦(或(huo)煤焦)、木屑為原料(liao)通(tong)過電阻爐(lu)高溫(wen)冶煉而成。碳化硅(gui)在大自然(ran)也存在罕(han)見的礦物,莫桑石。碳化硅(gui)又稱<a。
二次離子質譜分析碳化硅中釩雜質含量的研究-碩士論文-道客巴巴
碳(tan)化硅;物理性(xing)質(zhi)(zhi)性(xing)狀(zhuang):綠色(se)藍(lan)(lan)黑色(se)結(jie)晶性(xing)粉末.含雜質(zhi)(zhi)的碳(tan)化硅為綠色(se),固性(xing)狀(zhuang):綠色(se)藍(lan)(lan)黑色(se)結(jie)晶性(xing)粉末.含雜質(zhi)(zhi)的碳(tan)化硅為綠色(se),固溶有(you)炭(tan)和金屬氧化物雜質(zhi)(zhi)呈(cheng)黑色(se)。密。
碳化硅雜質對石墨加熱棒溫度場的影響數值模擬研究-豆丁網
論文天下提供(gong)的<二次離子質(zhi)(zhi)(zhi)譜分(fen)(fen)析(xi)(xi)碳化硅中釩雜質(zhi)(zhi)(zhi)含(han)量的研究;論文包括(kuo)碳化硅二次離子質(zhi)(zhi)(zhi)譜釩摻雜定量分(fen)(fen)析(xi)(xi)二次離子質(zhi)(zhi)(zhi)譜分(fen)(fen)析(xi)(xi)離子注入(ru)樣品等其(qi)他(ta)相關內容論文。
jinshinaicai-和訊財經微博-碳化硅中雜質的形態-碳化硅中..
2013年(nian)4月(yue)24日-碳(tan)化硅俗稱金剛石,又稱碳(tan)硅石,主(zhu)要用作(zuo)耐磨(mo)材(cai)(cai)料,耐火(huo)材(cai)(cai)料,核反應堆(dui)材(cai)(cai)料及制造(zao)電阻發熱硅碳(tan)棒(管),半導體元件,C二級管,晶體管,電器元件,火(huo)箭(jian)噴(pen)管等(deng)。
加強生產工藝管理提高碳化硅產品質量——寧夏天凈集團碳化硅
產(chan)業領域:新(xin)能源(yuan)光伏需(xu)求類型:技術服(fu)務(wu)需(xu)求編號(hao):189-07制粉是碳化硅微粉生產(chan)中的重要工(gong)序,但(dan)由于碳化硅的硬(ying)度(du)較(jiao)高,其莫(mo)(mo)氏(shi)硬(ying)度(du)為9.5級(ji),在莫(mo)(mo)氏(shi)硬(ying)度(du)標(biao)準中僅低于金剛石(shi)。
碳化硅-搜搜百科
本文采(cai)用(yong)ICP-MS法對高(gao)純碳化硅粉表面的Na、Al、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Cd12種痕(hen)量雜(za)質進行測定,用(yong)氫氟(fu)酸(suan)溶液浸提試樣表面雜(za)質,用(yong)釔做內標補償(chang)。
碳化硅|化合物-查字典
一種無(wu)TiC雜質(zhi)相(xiang)的碳化硅鈦陶(tao)瓷粉體(ti)(ti)的合(he)(he)成方法,其特(te)征在于(yu):(1)以Ti粉、Si粉和TiC本發明公開了一種低成本無(wu)TiC雜質(zhi)相(xiang)的碳化硅鈦陶(tao)瓷粉體(ti)(ti)的常(chang)壓合(he)(he)成方法,。
二次離子質譜分析碳化硅中釩雜質含量的研究-收費碩士博士論文-
臨沂市金蒙碳(tan)化(hua)(hua)(hua)(hua)硅有(you)限公司是一(yi)家擁有(you)國內先進(jin)的碳(tan)化(hua)(hua)(hua)(hua)硅微粉(fen),黑(hei)碳(tan)化(hua)(hua)(hua)(hua)硅,綠碳(tan)化(hua)(hua)(hua)(hua)硅,綠碳(tan)化(hua)(hua)(hua)(hua)硅微粉(fen),黑(hei)碳(tan)化(hua)(hua)(hua)(hua)硅微粉(fen),碳(tan)化(hua)(hua)(hua)(hua)硅粒度砂(sha),生產線和(he)工藝技術,服(fu)務熱線:400-6291-618。
碳化硅成分及性質_行業新聞_濟源防腐耐磨材料有限公司
2008年5月(yue)9日-碳化(hua)硅(gui)(gui)電(dian)力電(dian)子器件研發(fa)進(jin)展與(yu)存在問題,1引言借助于微電(dian)子技術的(de)長足發(fa)展,以硅(gui)(gui)器件為基礎的(de)電(dian)力電(dian)子技術因大功(gong)率場效應晶(jing)體管(功(gong)率MOS)和絕(jue)緣柵(zha)雙極晶(jing)體。
要除去碳化硅中的含鐵的雜質和氧化鋁膠體及游離碳,需要進行酸
1、游離硅。它一部(bu)分溶解于(yu)SiC晶(jing)體中(zhong),一部(bu)分與(yu)其雜質(如鐵、鋁、鈣等)形成合金而(er)粘附于(yu)晶(jing)體上或嵌在晶(jing)體中(zhong)。2、游離二氧化(hua)硅。通常存在于(yu)晶(jing)體表面(mian)。大都(dou)是由于(yu)。
請教一下有關碳化硅的一些問題_化學吧_百度貼吧
對SiC中基(ji)態施主能級(ji)分裂對雜(za)(za)質(zhi)電離的(de)影(ying)(ying)響,與(yu)溫度(du)、摻(chan)雜(za)(za)濃(nong)度(du)和雜(za)(za)質(zhi)能級(ji)深度(du)的(de)關系進行了(le)系統研究。發現只有在(zai)高溫且摻(chan)雜(za)(za)濃(nong)度(du)低(di)的(de)情況下,能級(ji)分裂的(de)影(ying)(ying)響很小可(ke)忽略不(bu)計。
(189-07,新能源光伏,技術服務)碳化硅微粉中鐵雜質清除裝置及方法
氮化(hua)硅結(jie)合(he)碳化(hua)硅材(cai)料(liao)(liao)反應燒結(jie)時的(de)雜質(zhi)相行為(wei)分析(xi),郝小勇(yong);-陶瓷工(gong)程1998年第03期在線閱讀、文章下載。<正;l前言Si3N4結(jie)合(he)SIC材(cai)料(liao)(liao)的(de)研究近年來在國(guo)內發(fa)展較快,該。
ICP-MS法測定高純碳化硅粉表面的痕量雜質Determinationoftrace
分析(xi)了Si3N4結合(he)Si3C材(cai)(cai)(cai)料(liao)(liao)反(fan)應燒(shao)結時Fe2O3、SiO2、Al2O3、CaO等雜(za)質(zhi)相(xiang)的反(fan)應行為(wei)(wei)。氮化(hua)硅(gui)結合(he)碳化(hua)硅(gui)材(cai)(cai)(cai)料(liao)(liao)反(fan)應燒(shao)結時的雜(za)質(zhi)相(xiang)行為(wei)(wei)分析(xi)前言:分析(xi)了Si3N4結合(he)Si3C材(cai)(cai)(cai)料(liao)(liao)。
碳化硅陶瓷工藝流程解析-新聞-九正建材網(中國建材網)
[圖文]目(mu)前(qian),國內使用(yong)的(de)切割(ge)液和碳(tan)化硅微粉在(zai)線切割(ge)過(guo)程中(zhong),砂漿中(zhong)不可避(bi)免(mian)的(de)會混(hun)入硅粉、鐵、高聚(ju)物等(deng)雜質,部分碳(tan)化硅微粉也會因切割(ge)作用(yong)而出現(xian)破損,產生的(de)廢砂漿很難(nan)繼(ji)續。
一種無TiC雜質相的碳化硅鈦陶瓷粉體的合成方法-200710118878-錢眼
氮化硅(gui)結(jie)合碳化硅(gui)材料(liao)反應(ying)燒(shao)結(jie)時(shi)的雜質(zhi)相行為分(fen)(fen)析(xi)-分(fen)(fen)析(xi)了Si3N4結(jie)合Si3C材料(liao)反應(ying)燒(shao)結(jie)時(shi)Fe2O3、SiO2、Al2O3、CaO等雜質(zhi)相的反應(ying)行為。
黑碳化硅,綠碳化硅,綠碳化硅微粉,黑碳化硅微粉,碳化硅粒度砂|臨沂
碳化硅質泡沫(mo)陶(tao)瓷過(guo)濾(lv)(lv)片(pian)(pian),去(qu)孔,濾(lv)(lv)渣,吸附(fu)雜質泡沫(mo)陶(tao)瓷過(guo)濾(lv)(lv)片(pian)(pian)簡介泡沫(mo)陶(tao)瓷過(guo)濾(lv)(lv)器(qi)的過(guo)濾(lv)(lv)機(ji)理(li):整流作用:在澆(jiao)鑄(zhu)系統中(zhong)放(fang)置泡沫(mo)陶(tao)瓷過(guo)濾(lv)(lv)片(pian)(pian)后(hou),金屬液流阻(zu)力增大,。
碳化硅電力電子器件研發進展與存在問題
淄博(bo)鑄泰碳(tan)(tan)素有(you)限公司碳(tan)(tan)化(hua)(hua)硅簡介:碳(tan)(tan)化(hua)(hua)硅英文(wen)名(ming)稱(cheng):siliconcarbide,俗稱(cheng)金剛砂(sha)。純碳(tan)(tan)化(hua)(hua)硅是(shi)無色透明的晶體。工業碳(tan)(tan)化(hua)(hua)硅因所含雜(za)質(zhi)的種類和含量不同,而呈淺黃(huang)、綠、藍(lan)。