MEMS射頻薄膜體聲波諧振器(FBAR)研究
在固態裝配型諧(xie)振器(SMR)方面(mian),論文采用上述模型分(fen)析(xi)了四分(fen)之一波(bo)長布拉格反(fan)(fan)射(she)柵對其諧(xie)振特性的影響(xiang),得到了SMR器件獲得理(li)想性能所需的少(shao)反(fan)(fan)射(she)柵對數(shu);另外,考(kao)慮到實際(ji)。
石英晶體諧振器行業技術文章_慧聰網
壓電(dian)層的典型(xing)厚(hou)度在幾個微米或(huo)壓力場看(kan)起來與(單(dan)晶的)石英模式的石英這種類(lei)型(xing)的BAW被稱為固態(tai)裝配諧振器(SMR)。魯棒(bang)性而言(yan),,則可減少諧振器。
ZnO固態裝配型諧振器(SMR)的模擬分析-《中國聲學學會2007年青年
ZnO固態(tai)裝配型諧振(zhen)器(SMR)的模擬分析(xi)湯亮郝震宏喬東海(hai)汪承灝摘要:正1引言(yan)近(jin)年來(lai),薄膜(mo)體聲波諧振(zhen)器(FBAR)由于其(qi)較小的體積以(yi)及可與IC電(dian)路進行單。
布喇格反射層對SMR性能影響的仿真分析_百度文庫
這樣形成的(de)諧振器(qi)是固(gu)態(tai)裝配諧振器(qi)(SMR)。在一個(ge)實施(shi)例(li)中,襯(chen)底12由硅(Si)制成,PZ層(ceng)18由氮化鋁(AlN)制成。或者,也(ye)可以使(shi)用其他的(de)壓(ya)電材料來制作PZ層(ceng)18。在一。
CN1845453A-使用填充凹進區的聲諧振器的性能增強-Google
基于CMOS工(gong)藝(yi)的高(gao)性能射(she)頻濾波器(qi):體聲(sheng)波濾波器(qi)BAW第2頁/共6頁<上一頁下這種類型的BAW被稱為固態裝(zhuang)配諧振器(qi)(SMR)。魯(lu)棒性而(er)言,SMR比(bi)膜(mo)結構(gou)的BAW要好。
基于CMOS工藝的高性能射頻濾波器:體聲波濾波器BAW_中華文本庫
這種類型的BAW被稱為固態裝配諧振器(SMR)。魯棒(bang)性而言,SMR比膜(mo)結構的BAW要(yao)好很多(duo)。在(zai)劃(hua)片(pian)和裝配所需的各種標準工(gong)序(xu)中,沒有機械損壞的風險。壓電層和電極層上。
基于CMOS工藝的高性能射頻濾波器:體聲波濾波器(BAW)
和電極做成膜(mo)結構或一(yi)并(bing)沉積到(dao)一(yi)個(ge)薄的支撐(cheng)膜(mo)上,形成空氣(qi)一(yi)固(gu)(gu)體交界面;還(huan)有一(yi)種(zhong)方式是采用“聲(sheng)波鏡”形成反(fan)射面來(lai)實現(xian),這種(zhong)結構被稱為“固(gu)(gu)態(tai)裝(zhuang)配諧(xie)振器(SMR)。
薄膜體聲波濾波器的材料設計及應用-豆丁網
鋯鈦酸(suan)鉛溶膠(jiao)凝膠(jiao)諧(xie)振(zhen)器(qi)建立微(wei)型體聲波(bo)諧(xie)振(zhen)器(qi)機(ji)械結(jie)構的等效電路模型,運用PSPICE軟件研究4湯亮;郝震(zhen)宏;喬東(dong)海(hai);汪(wang)承(cheng)灝;;ZnO固態裝(zhuang)配型諧(xie)振(zhen)器(qi)(SMR)。
龍俞兆-技術總結-道客巴巴
[0003]壓(ya)電薄(bo)膜(mo)諧振器(qi)可以分類(lei)為FBAR(膜(mo)體(ti)聲諧振器(qi))型(xing)和SMR(固態裝配諧振器(qi))型(xing)。[0003]thepiezoelectricthinfilmresonatorcanbeclassifiedasFBAR。
PZT薄膜材料的生長與應用-《廈門大學》2009年碩士論文
上述聲(sheng)波器件(jian)的(de)示例為(wei)諸如(ru)FBAR(膜體聲(sheng)波諧振器)和SMR(SolidlyMoutedResonator:固態(tai)裝(zhuang)配諧振器)的(de)薄膜諧振器。Examplesoftheacousticwavedevicesuchas。
CN101083460B-Filterhavingmultiplepiezoelectricthin-
聲(sheng)諧振器(qi)(10;110;和210)包括少部分地補(bu)償(chang)通過電極壓電疊層(18)引入的溫度(du)感(gan)應效應的鐵(tie)磁補(bu)償(chang)器(qi)(20;120;和220)。該(gai)補(bu)償(chang)器(qi)具(ju)有正頻率(lv)溫度(du)系數,而疊層具(ju)有負。
BAW_百度文庫
包(bao)含這些(xie)壓電薄(bo)膜諧振(zhen)(zhen)器(qi)(qi)(qi)的濾波器(qi)(qi)(qi)也受到關注(zhu)。[0003]壓電薄(bo)膜諧振(zhen)(zhen)器(qi)(qi)(qi)的例子(zi)包(bao)括FBAR(薄(bo)膜腔聲諧振(zhen)(zhen)器(qi)(qi)(qi),FilmBulkAcousticResonator)型(xing)和SMR(固態裝配諧振(zhen)(zhen)器(qi)(qi)(qi),Solidly。
CN101136620B-Acousticwavedevice,filterandduplexer
將(jiang)上述壓電薄膜諧振器(qi)分為兩種類型,FBAR(薄膜腔聲(sheng)諧振器(qi))和SMR(固態裝配諧振器(qi))。FBAR包括層疊(die)在諸如硅或(huo)玻璃的(de)基板上的(de)上電極膜、壓電膜和下電極膜的(de)層疊(die)結構。
布喇格反射層對SMR性能影響的仿真分析SimulationAnalysisof
包(bao)含(han)這(zhe)些(xie)壓電(dian)薄膜諧(xie)振(zhen)器的(de)濾波器也受到關注。壓電(dian)薄膜諧(xie)振(zhen)器的(de)例子包(bao)括FBAR(薄膜腔聲諧(xie)振(zhen)器,FilmBulkAcousticResonator)型和SMR(固(gu)態裝配諧(xie)振(zhen)器,SolidlyMounted。
CN1340915A-聲波諧振器及在溫度變化時運行其以保持諧振的
另(ling)外值得一提的(de)是(shi),德國的(de)Infneon公司(si)在2003年推出了具(ju)有布(bu)拉(la)格(ge)反(fan)射層結構的(de)固貼式(又稱固態裝配型)薄膜(mo)體聲波諧(xie)振器(SMR-FBAR)[9-10].而我國關于。
CN1862959B-壓電薄膜諧振器與濾波器-Google
0引言固態(tai)引信(xin)諧振器是(shi)(shi)電子安全系(xi)統的重要組(zu)成部分之一,它能在后(hou)坐加(jia)速度和旋轉離心力的作用下向前運動,使限位保險處于(yu)鎖定狀(zhuang)態(tai),從而使引信(xin)處于(yu)待(dai)發狀(zhuang)態(tai)。但是(shi)(shi),。
CN1677852A-諧振器濾波器以及諧振器的制造-Google
毫米(mi)波(bo)平面振(zhen)(zhen)蕩器基片集(ji)(ji)成波(bo)導相位噪(zao)聲雙(shuang)端口壓控振(zhen)(zhen)蕩器注入鎖定(ding)諧波(bo)振(zhen)(zhen)蕩器毫米(mi)波(bo)平面振(zhen)(zhen)蕩器是毫米(mi)波(bo)平面集(ji)(ji)成系統ZnO固態裝(zhuang)配型諧振(zhen)(zhen)器(SMR)的模擬分析[。
CN1862959A-壓電薄膜諧振器與濾波器-Google
聲諧振器(qi)(10;110;和(he)210)包(bao)括少部分地補償通過電(dian)極壓電(dian)疊(die)層(18)引入的(de)溫度感應效(xiao)應的(de)鐵磁補償器(qi)(20;120;和(he)220)。Theacousticresonator(10;110;and。
薄膜體聲波諧振器(FBAR)的結構制備工藝研究-會議論文-道客巴巴
關鍵(jian)詞:微(wei)波(bo)濾波(bo)器(qi)時域有限差分法階梯阻抗諧振器(qi)橢圓函數濾波(bo)器(qi)多層6湯亮(liang);郝震宏;喬東海(hai);汪(wang)承灝;;ZnO固(gu)態裝配(pei)型諧振器(qi)(SMR)的模擬分析[A];。
固貼式薄膜體聲波諧振器用材料體系研究進展-豆丁網
摘要(yao)固(gu)態微(wei)型諧振器的(de)工作頻率高、功(gong)率容量(liang)大(da)、損耗低、體積(ji)小,是目前有望第三種為(wei)本研究采(cai)用反(fan)射層聲學隔離固(gu)定結構(SolidlyMountedResonatorSMR),如圖(tu)l一。
MEMS固態引信諧振器的系統級設計與仿真-《科技廣場》2007年09期
在固態裝配型諧振(zhen)(zhen)器(SMR)方面,論文采(cai)用上(shang)述模型分析(xi)了(le)(le)四分之(zhi)一波長布(bu)拉格反(fan)(fan)射柵(zha)對(dui)其諧振(zhen)(zhen)特性的(de)影響,得到了(le)(le)SMR器件獲(huo)得理想性能(neng)所需的(de)少(shao)反(fan)(fan)射柵(zha)對(dui)數(shu);另外,考慮到實(shi)際。
復合雙壓電層FBAR的建模與仿真楊成韜1,李健雄1,許紹俊2,銳1,-
這樣形成的(de)諧振器是固(gu)態裝配諧振器(SMR)。Thethusformedassemblyoftheresonatoriidresonator(SMR).在一個實施例中,襯底12由(you)硅(Si)制成,。
基于基片集成波導的高性能毫米波平面振蕩器研究與應用-《電子
大(da)字報利用(yong)無線傳(chuan)感器(qi)網(wang)絡(luo)實現運(yun)動聲源的(de)定位與跟(gen)蹤錄取(qu),報告用(yong)相對運(yun)動幾何求解(jie)BOT問題ZnO固態裝配型諧振器(qi)(SMR)的(de)模擬分析PGC解(jie)調光纖傳(chuan)聲器(qi)技術的(de)討論一(yi)種單(dan)。
CN1229917C-Soundwaveresonator-Google
將(jiang)上述壓電(dian)薄(bo)膜諧振(zhen)(zhen)器分為(wei)兩種(zhong)類型(xing),FBAR(薄(bo)膜腔(qiang)聲諧振(zhen)(zhen)器)和SMR(固態(tai)裝配(pei)諧振(zhen)(zhen)器)。FBAR包括(kuo)層(ceng)疊在諸如(ru)硅或玻璃(li)的(de)基(ji)板上的(de)上電(dian)極膜、壓電(dian)膜和下(xia)電(dian)極膜的(de)層(ceng)疊。
無線通信系統中的微波濾波器性能及小型化研究-《上海大學》2004
2007年10月(yue)31日-壓(ya)電(dian)薄膜諧振器(qi)(qi)可(ke)分成(cheng)FBAR(薄膜塊體(ti)聲波諧振器(qi)(qi))型和SMR(固態裝配諧振器(qi)(qi),solidlymountedresonator)型。Thepiezoelectricthinfilmresonatormay。
基于MoTi布拉格反射層的固態微型諧振器與濾波器的研究-豆丁網
該傳感器(qi)(qi)是混合型諧(xie)(xie)(xie)振(zhen)無(wu)源諧(xie)(xie)(xie)振(zhen)結構,其可以在(zai)制造(zao)過程中被集成于車輛地面連接裝(zhuang)(zhuang)置HBAR“高模薄膜體聲波諧(xie)(xie)(xie)振(zhen)器(qi)(qi)”),或者帶(dai)有(you)布拉格反射鏡(SMR“固(gu)態裝(zhuang)(zhuang)配型諧(xie)(xie)(xie)振(zhen)。
基于CMOS工藝的高性能射頻濾波器:體聲波濾波器BAW_百度文庫
該(gai)傳感器是(shi)混合型(xing)(xing)諧(xie)振無源(yuan)諧(xie)振結構,其可以在制造(zao)過程(cheng)中(zhong)被(bei)集成于車(che)輛地面連接裝(zhuang)置HBAR"高模薄膜體(ti)聲波諧(xie)振器"),或者帶有布拉格反射鏡(SMR"固態裝(zhuang)配型(xing)(xing)諧(xie)振器"。
院機構知識庫網格(CASIRGRID):MEMS射頻薄膜體聲波諧振器(
2010年6月16日-[0020]壓電(dian)薄(bo)膜諧(xie)振(zhen)器包括FBAR型和(he)SMR型,其(qi)中FBAR是(shi)薄(bo)膜體聲波諧(xie)振(zhen)器(Film-BulkAcousticResonator)的縮寫,以(yi)及(ji)SMR是(shi)固態安(an)裝諧(xie)振(zhen)器(SolidlyMounted。
CN1845453A-Acousticresonatorperformanceenhancement
2005年(nian)10月5日-將上述壓電薄膜(mo)諧(xie)振器(qi)分為兩(liang)種類型,FBAR(薄膜(mo)腔聲(sheng)諧(xie)振器(qi))和SMR(固態裝(zhuang)配諧(xie)振器(qi))。Theabovepiezoelectricthinfilmresonatorisdividedinto。
薄膜諧振器技術概述_百度文庫
[0003]壓電(dian)(dian)薄膜諧(xie)振器可分成FBAR(薄膜塊體聲波諧(xie)振器)型和SMR(固態裝配諧(xie)振器,solidlymountedresonator)型。FBAR具有由上(shang)部電(dian)(dian)極(ji)、壓電(dian)(dian)膜和下(xia)部電(dian)(dian)極(ji)構成的。