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為(wei)了滿(man)足碳(tan)(tan)化(hua)(hua)硅材料部件工(gong)程項目需(xu)求,開展了SiC材料零(ling)件機械(xie)加工(gong)工(gong)藝(yi)性能(neng)(neng)的研究。首(shou)先分析了材料性能(neng)(neng),接著根據碳(tan)(tan)化(hua)(hua)硅材料性能(neng)(neng),開展了磨削(xue)工(gong)藝(yi)、數(shu)控加工(gong)、線切割(ge)及超聲波(bo)。

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本發明具(ju)有操(cao)作簡單(dan)易行,設備簡單(dan),原料易得,成本低(di)廉的優點(dian)。$202130064一種(zhong)高比表面(mian)積碳(tan)化硅及其制(zhi)備方法[摘要]一種(zhong)高比表面(mian)積碳(tan)化硅的直徑(jing)為(wei)10-20nm,比表面(mian)積。

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綠(lv)碳(tan)化(hua)硅(gui)的砂輪(lun)生產(chan)工藝簡(jian)介(jie)及綠(lv)碳(tan)化(hua)硅(gui)各過程(cheng)中的注(zhu)意事項綠(lv)碳(tan)化(hua)硅(gui),砂輪(lun)代號GC砂輪(lun)適用于(yu)(yu)加工硬質合金(jin),玻璃,陶瓷(ci)和非金(jin)屬(shu)材料外,還用于(yu)(yu)半導體材料,高溫硅(gui)碳(tan)棒發熱體,。

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碳(tan)(tan)化硅(gui)微粉1200-1500號主要(yao)用(yong)來太陽能(neng)單晶硅(gui)片的切割(ge)介質,但是(shi)碳(tan)(tan)化硅(gui)微粉加工設備(bei),始終存(cun)在一些(xie)不可(ke)攻(gong)克的難題,例如(ru)高(gao)磨損,高(gao)噪音等,目前市場上碳(tan)(tan)化硅(gui)微粉加工設備(bei)主要(yao)。

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摘(zhai)要:研(yan)究了造孔劑(ji)石墨和(he)淀粉對(dui)多孔碳化硅陶瓷制備工藝和(he)抗彎強度(du)的影響。結(jie)果表明:石墨中(zhong)含有碳和(he)SiO2等成分(fen),碳在高溫燒結(jie)過(guo)程中(zhong)因氧化而排出(chu),較好地保留了。

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2012年5月22日-碳(tan)化(hua)硅微(wei)粉的(de)生產步驟如下(xia):(1)取碳(tan)化(hua)硅原料,經破(po)碎機破(po)碎,并篩分不大(da)于5mm的(de)碳(tan)化(hua)硅顆粒,再用整形機對其進(jin)行(xing)整形不大(da)于2mm的(de)碳(tan)化(hua)硅顆粒,且其中。

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提供(gong)了一種碳化(hua)硅(gui)微(wei)(wei)粉(fen)(fen)(fen)生(sheng)產裝置(zhi)排放的廢(fei)水(shui)處(chu)理方法。經處(chu)理后的廢(fei)水(shui)中的懸浮物達到排放標準(zhun)。從碳化(hua)硅(gui)微(wei)(wei)粉(fen)(fen)(fen)生(sheng)產裝置(zhi)排放的廢(fei)水(shui)中回收碳化(hua)硅(gui)微(wei)(wei)粉(fen)(fen)(fen),作為(wei)副產品銷售,變廢(fei)為(wei)寶(bao)。

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2013年(nian)2月20日-綠碳化硅制造方法同黑色碳化硅,但采用的(de)原材料(liao)純(chun)度要求較(jiao)高(gao),也在電阻爐(lu)中(zhong)因此,卡盤與砂輪的(de)合理匹配,一(yi)方面(mian)可以節約(yue)設備(bei),切約(yue)材料(liao);另一(yi)方面(mian)又符合。

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本發明涉及液相(xiang)燒結(jie)碳化(hua)硅(gui)陶(tao)瓷的一種生產(chan)工藝,屬于陶(tao)瓷領域。現(xian)有液相(xiang)燒結(jie)碳化(hua)硅(gui)陶(tao)瓷生產(chan)工藝的混料(liao)工序中存在球磨耗時過份長以及球磨設備總體利用率低等問題(ti),本發明旨在。

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2012年8月10日-采用這種方(fang)法(fa)制備(bei)(bei)的多(duo)(duo)孔碳化(hua)硅(gui)陶瓷的孔壁多(duo)(duo)為致(zhi)密結構,但所用設備(bei)(bei)復雜而精(jing)密,設備(bei)(bei)投資大(da),如磁控濺射(she)、化(hua)學或物理氣相沉積(ji)設備(bei)(bei)等(deng)。五(wu)、多(duo)(duo)相復合成型。

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主要(yao)特點:以先進的“清吹(chui)工藝(yi)”取代了傳統的酸(suan)、堿、水洗和烘干工藝(yi)。碳化硅生產設(she)備(bei)-供應(ying)屬性型號(hao):JY功率:5KWw流量:0外形尺寸:0cm噪音:0。

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碳化硅加工(gong)(gong)設(she)(she)備(bei)推薦商機我也想出現在這里;;相關(guan)推薦:CMTS設(she)(she)備(bei)EPS線條設(she)(she)備(bei)5供應藍寶石(shi)的(de)制備(bei)加工(gong)(gong)技術(shu)制備(bei)工(gong)(gong)藝(yi)配(pei)方(fang)查看(kan)報價(jia)供應納米材料涂層技術(shu)制備(bei)工(gong)(gong)藝(yi)。

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設備概述:碳化硅干燥(zao)生產線是我公司為克服靜(jing)態干燥(zao)低效、高耗而研制開(kai)發的新型(xing)使整機(ji)具有合理的工藝結構和(he)優越的使用性能,真正實(shi)現流(liu)態化干燥(zao)的低耗、高效目標。

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2011年11月(yue)1日(ri)-采用粉末冶金的制造方(fang)法,得到高純度(du)的整體(ti)碳(tan)化(hua)硅坯件。碳(tan)化(hua)硅燒(shao)結后可能產生焊(han)接工(gong)程師/顧(gu)問江(jiang)森自控(kong)樓(lou)宇設備科(ke)技(無(wu)錫)有限公司推薦資訊。

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2013年3月19日-1011CN200780009375.2具有(you)基(ji)于(yu)碳化(hua)硅的非晶(jing)硅薄膜晶(jing)體管(guan)的堆疊(die)非易失(shi)性存儲器及其制(zhi)造方法1012CN200810159728.3碳化(hua)硅多(duo)孔陶瓷(ci)過濾(lv)元件的制(zhi)備方法及擠(ji)壓設備。

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中基窯(yao)(yao)爐是一家(jia)從(cong)事冶金工(gong)業窯(yao)(yao)爐海(hai)(hai)綿(mian)(mian)鐵(tie),海(hai)(hai)綿(mian)(mian)鐵(tie)設(she)(she)備,海(hai)(hai)綿(mian)(mian)鐵(tie)隧道窯(yao)(yao),海(hai)(hai)綿(mian)(mian)鐵(tie)生產工(gong)藝,直接還(huan)原鐵(tie),煉鋼海(hai)(hai)綿(mian)(mian)鐵(tie),碳(tan)化(hua)硅罐梭式窯(yao)(yao),釩鈦磁鐵(tie)礦窯(yao)(yao)爐設(she)(she)備,紅土鎳礦窯(yao)(yao)爐設(she)(she)備,隧道。

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分析(xi)碳化(hua)(hua)硅(gui)纖維(wei)的(de)成分與制備方法(fa)碳化(hua)(hua)硅(gui)纖維(wei)是以碳化(hua)(hua)硅(gui)為主要(yao)組分的(de)一(yi)種陶瓷(ci)纖維(wei),這種纖維(wei)具(ju)有良好的(de)高溫性能、高強度(du)、高模量和化(hua)(hua)學穩定(ding)性。主要(yao)用(yong)于增強金屬和陶瓷(ci),。

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2013年10月(yue)28日-咨詢內(nei)容:我想了解:《碳化硅坩(gan)堝提取碳化硅生(sheng)產方法工藝資料(liao)》的詳細信(xin)息聚(ju)氨酯保(bao)溫(wen)板(ban)設備聚(ju)氨酯保(bao)溫(wen)板(ban)1010酚醛保(bao)溫(wen)板(ban)防火膠系列玻化微。

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084碳(tan)化硅(gui)半導(dao)(dao)(dao)體(ti)裝(zhuang)置(zhi)及其(qi)(qi)制(zhi)造(zao)(zao)方法(fa)(fa)123半導(dao)(dao)(dao)體(ti)垂直(zhi)通孔形成(cheng)方法(fa)(fa)及裝(zhuang)置(zhi)048碳(tan)化硅(gui)半導(dao)(dao)(dao)體(ti)器件005半導(dao)(dao)(dao)體(ti)器件024半導(dao)(dao)(dao)體(ti)加(jia)工設備的(de)防腐(fu)組(zu)件及其(qi)(qi)制(zhi)造(zao)(zao)方法(fa)(fa)025半導(dao)(dao)(dao)體(ti)器件及其(qi)(qi)。

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2013年3月(yue)19日-機械方法(fa)(fa)包括微機械分離法(fa)(fa)、取向(xiang)附生法(fa)(fa)和(he)加(jia)熱(re)碳化(hua)(hua)(hua)硅(gui)(gui)(SiC)的方法(fa)(fa);化(hua)(hua)(hua)學方法(fa)(fa)自行研發,設(she)(she)計制(zhi)造了碳化(hua)(hua)(hua)硅(gui)(gui)晶體(ti)生長的設(she)(she)備,采用創新的技(ji)術路(lu)線(xian)實現碳化(hua)(hua)(hua)硅(gui)(gui)晶體(ti)。

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1.常(chang)壓燒結碳(tan)化(hua)硅(gui)(無壓燒結SiC)采用粉末冶(ye)金(jin)的(de)制(zhi)造方(fang)法(fa),得到高純度的(de)整(zheng)體碳(tan)化(hua)硅(gui)坯件。碳(tan)化(hua)硅(gui)燒結后可能產(chan)生不同的(de)結晶(jing)組織(zhi),其(qi)中α相為粒狀(zhuang)結晶(jing);β相為針狀(zhuang)結晶(jing)。

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