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金屬氧化物及碳化硅避雷器對陡波頭長波電流脈沖的響應-《電瓷

金(jin)屬氧化物(wu)碳化硅避雷器電力(li)電纜電壓(ya)響應(ying)過沖保護性能殘(can)壓(ya)測試回路相近似電流脈(mo)沖。

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2005脈沖(chong)激光(guang)(guang)退火(huo)納米碳(tan)化(hua)硅的光(guang)(guang)致發光(guang)(guang)于威,何杰,孫運(yun)濤,韓理(li),在電流(liu)激發方面(mian)存在較大(da)困難,因(yin)此對碳(tan)化(hua)硅發光(guang)(guang)材料(liao)的制備(bei)及發光(guang)(guang)特性進行分析對。

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河北大(da)學(xue)碩士(shi)學(xue)位論文納米碳化(hua)硅的(de)脈沖激光燒蝕沉積及其光學(xue)特性研究姓(xing)名:孫運濤(JFET,可達到電(dian)流(liu)水平400mA/mm,電(dian)導(dao)的(de)指標lOOmS/mm)以(yi)及用6H—SiC制作的(de)金屬。

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2008年5月9日(ri)-1998年已有頻(pin)率1.3GHz,脈沖輸(shu)出功率400W的報(bao)道[;。2.2碳化(hua)硅(gui)(gui)功率雙(shuang)極(ji)與碳化(hua)硅(gui)(gui)功率MOS相(xiang)比,對(dui)3000V以上的阻斷電壓,其通態電流密度可(ke)以高出幾(ji)個。

碳化硅電力電子器件研發進展與存在問題

[圖文(wen)]2007年5月28日-從而具有(you)非常高(gao)的浪涌電流承受能(neng)力和穩定的過(guo)壓(ya)中的PFC級應用在(zai)瞬時脈沖(chong)和過(guo)壓(ya)狀態下具有(you)更高(gao)利用具有(you)獨(du)特性能(neng)的碳化(hua)硅作為(wei)器件(jian)材料(liao),能(neng)制造(zao)出。

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高頻脈(mo)沖(chong)電鍍Ni-Co-SiC耐蝕(shi)性(xing)耐磨(mo)性(xing)陽極極化(hua)結構研究了(le)電源頻率、占空比(bi)、陰(yin)極電流(liu)密(mi)度及鍍液中鈷1袁(yuan)逖;高頻脈(mo)沖(chong)電沉積鎳鈷碳化(hua)硅鍍層耐蝕(shi)性(xing)耐磨(mo)。

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正采(cai)用(yong)60m長的(de)(de)138kV電(dian)(dian)力電(dian)(dian)纜產生的(de)(de)幾十萬伏、2萬安以上的(de)(de)電(dian)(dian)流、波頭時(shi)間約50ns的(de)(de)脈沖。被試品(pin)為9kV金屬氧化(hua)物(wu)及碳(tan)化(hua)硅避雷器(qi)(qi)。避雷器(qi)(qi)的(de)(de)電(dian)(dian)壓響應包括陡的(de)(de)過沖電(dian)(dian)壓。

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2013年1月30日-美國陸(lu)軍研究人員(yuan)正(zheng)在向行業(ye)尋求開發進(jin)的碳(tan)化硅(SiC)半(ban)導體(ti)功(gong)率電(dian)(dian)子技術種高等(deng)級配置的高壓開關,脈沖電(dian)(dian)壓15000V,小電(dian)(dian)壓10000V,電(dian)(dian)流峰值30A,。

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采用(yong)XeCl準分(fen)子脈沖(chong)激光(guang)退火技術制備了納(na)米晶態碳(tan)化硅薄膜(mo)(nc—SiC),并對薄膜(mo)的光(guang)致(zhi)發(fa)光(guang)(PL)特性進行了分(fen)析。結果表明(ming),納(na)米SiC薄膜(mo)的光(guang)致(zhi)發(fa)光(guang)表現為300-600nm.范圍。

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[圖文]V為(wei)驅(qu)動(dong)(dong)(dong)脈沖(chong)電(dian)壓,驅(qu)動(dong)(dong)(dong)電(dian)流(liu)為(wei)脈沖(chong)電(dian)流(liu).V為(wei)驅(qu)動(dong)(dong)(dong)脈沖(chong)電(dian)壓,驅(qu)動(dong)(dong)(dong)電(dian)流(liu)為(wei)脈沖(chong)電(dian)流(liu).收藏此頁推薦給好(hao)友09-23[技術資訊]碳化硅在(zai)高溫(wen)范圍內具有低開(kai)關(guan)損耗的MOSFE。

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[圖文]這種改進的(de)過壓(ya)和浪涌電流能(neng)(neng)力可以使二極(ji)管(guan)的(de)壓(ya)力減小(xiao),使應用具有更高的(de)可靠(kao)性。SiC肖特(te)基二極(ji)管(guan)——適合各(ge)種供電條(tiao)件的(de)解決(jue)方案利(li)用具有獨特(te)性能(neng)(neng)的(de)碳(tan)化硅作為器件。

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論(lun)文(wen)天(tian)下(xia)提供的<高頻脈沖電沉積鎳(nie)鈷碳化硅(gui)鍍(du)層耐蝕(shi)性(xing)耐磨性(xing)的研究;論(lun)文(wen)包括高頻脈沖電鍍(du)Ni-Co-SiC耐蝕(shi)性(xing)耐磨性(xing)陽極(ji)極(ji)化結構等其(qi)他相關內容論(lun)文(wen)。

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溫度脈(mo)沖方法(fa)制備碳/碳化硅復合材料界面(mian)的微(wei)觀結構與(yu)性(xing)能研(yan)究袁明(ming),黃政(zheng)仁,董紹明(ming),朱云(yun)洲(zhou),江東亮(liang)中國科(ke)學院(yuan)上海(hai)硅酸(suan)鹽(yan)研(yan)究所,上海(hai)200050。

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河北大學(xue)碩(shuo)士學(xue)位論(lun)文(wen)納(na)米碳化硅的(de)脈(mo)(mo)沖(chong)(chong)激(ji)光燒蝕(shi)沉積及其(qi)光學(xue)特性(xing)研(yan)究姓(xing)名:孫(sun)運濤申(shen)請學(xue)位級別:碩(shuo)士專業:光學(xue)指(zhi)導(dao)教師:于(yu)威20030101摘要本工作采用脈(mo)(mo)沖(chong)(chong)激(ji)光。

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2013年1月(yue)30日-美(mei)國陸軍研(yan)究人員(yuan)正在向行業尋求開發進(jin)的碳化硅(gui)(SiC)半導體(ti)功率電(dian)子技(ji)術種(zhong)高等級配置的高壓開關,脈沖電(dian)壓15000V,小電(dian)壓10000V,電(dian)流峰(feng)值30A,。

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[圖(tu)文]從而具有非常高的(de)浪涌電流(liu)承受能力和(he)穩定的(de)過(guo)壓特性(xing)。網(wang)中的(de)PFC級應用在瞬時(shi)脈沖和(he)過(guo)壓狀態下具有更高的(de)利用具有獨特性(xing)能的(de)碳化硅作為器件材料,能制(zhi)造(zao)出接近。

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通過激光脈(mo)沖波形與光電流(liu)(liu)脈(mo)沖波形的(de)比(bi)較,估算出2種光導(dao)開關(guan)的(de)載流(liu)(liu)子壽命(ming)和載流(liu)(liu)子的(de)基礎上改(gai)進設計,研制出了工作電壓超過10kV、工作電流(liu)(liu)超過90A的(de)碳化硅光導(dao)。

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[圖文]GaN器(qi)件包含五項重要特(te)征:高(gao)介電(dian)(dian)強度(du)、高(gao)工作溫(wen)度(du)、大電(dian)(dian)流密度(du)、高(gao)開關速(su)度(du),如何(he)在高(gao)效脈沖跳頻模式下選擇輸出(chu)濾波(1)智(zhi)能電(dian)(dian)視前(qian)進路上的三座。

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[圖文]2012年(nian)4月(yue)16日-既能(neng)滿足電子模塊的正常工(gong)作電流(圖1中的If),也能(neng)承受ISO7637-2脈沖[新(xin)品快訊]美高森美推出碳(tan)化(hua)硅(SiC)材料(liao)和技術的全新(xin)1200V肖(xiao)特基二極管(guan)。

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[圖文]標(biao)簽(qian):600509石墨(mo)烯(xi)(xi)碳化硅(gui)背景資(zi)料老(lao)孟股票具有電荷這種性質,電荷的傳導能夠形成(cheng)(cheng)電流并成(cheng)(cheng)為電子(zi)采用脈沖電子(zi)輻(fu)照技(ji)術在SiC基(ji)底上外延石墨(mo)烯(xi)(xi)是我(wo)們。

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二:電(dian)流(liu)互(hu)感器(qi)保護用(yong)于保護電(dian)流(liu)互(hu)感器(qi)即CTPU.典型應用(yong)于互(hu)感器(qi)二次過壓(ya)保護,此類(lei)電(dian)阻(zu)片的(de)靈活性使其得到廣范應用(yong),可用(yong)于熒(ying)光燈的(de)尖峰脈沖抑制(zhi)(直徑為(wei)26mm的(de)。

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(3)從損(sun)壞(huai)的避(bi)雷(lei)器閥片來(lai)看,這些避(bi)雷(lei)器的閥片所用(yong)的碳化硅比較松散(san),多(duo)半是(shi)這根電(dian)線有脈沖(chong)電(dian)流渡過,這時,測定在配電(dian)線路的導體(ti)上感應的電(dian)壓波形。相(xiang)應的。

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2013年8月21日-尤(you)其是碳化硅微粉(fen)磨的(de)生產加工(gong)中,粉(fen)塵(chen)外泄問題為(wei)(wei)嚴重,上海卓亞礦(kuang)山機械(xie)有(you)限(xian)公司研究(jiu)者為(wei)(wei)其進(jin)行相應的(de)分析與(yu)設備的(de)改造實驗,終得出(chu)使用脈沖(chong)除塵(chen)器(qi)的(de)。

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[圖文]2011年8月(yue)4日-現在還有許多公司在用不同的(de)基(ji)底(如藍寶石和碳(tan)化硅)生(sheng)產GaNLED,這些LED該電路的(de)基(ji)本功(gong)能是(shi)產生(sheng)低頻、快速(su)、大功(gong)率驅動電流脈沖信號,輸(shu)出脈沖的(de)。

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2013年7月22日-1998年已有頻率(lv)1.3GHz,脈沖輸(shu)出(chu)功(gong)率(lv)400W的(de)報道[;。2.2碳(tan)化(hua)硅(gui)功(gong)率(lv)雙極開發碳(tan)化(hua)硅(gui)BJT的(de)主要問題(ti)是(shi)提高電流增益(yi)。早期6H-SiCBJT的(de)電流增益(yi)只有10。

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