金屬氧化物及碳化硅避雷器對陡波頭長波電流脈沖的響應-《電瓷
金屬氧化(hua)物(wu)碳化(hua)硅避雷器電力電纜電壓響應過沖保護性能殘壓測試回(hui)路相近似電流脈沖。
脈沖激光退火納米碳化硅的光致發光-豆丁網
2005脈沖激光(guang)(guang)退(tui)火納米碳(tan)化硅(gui)的光(guang)(guang)致發光(guang)(guang)于威,何杰,孫運濤,韓理,在(zai)電流激發方面(mian)存(cun)在(zai)較大(da)困難,因(yin)此對碳(tan)化硅(gui)發光(guang)(guang)材料的制備及發光(guang)(guang)特性(xing)進行(xing)分析對。
脈沖電沉積納米鎳一碳化硅復合鍍層的性能_百度文庫
河北大學碩士學位(wei)論文(wen)納米碳化硅的脈沖激光燒蝕沉積(ji)及其光學特性研究姓(xing)名:孫運(yun)濤(tao)(JFET,可達到電流水平400mA/mm,電導的指標(biao)lOOmS/mm)以及用6H—SiC制作的金屬。
納米碳化硅的脈沖激光燒蝕沉積及其光學特性研究-碩士論文-道
2008年(nian)5月9日-1998年(nian)已有(you)頻率(lv)1.3GHz,脈沖輸(shu)出功率(lv)400W的報道[;。2.2碳化硅(gui)功率(lv)雙(shuang)極與碳化硅(gui)功率(lv)MOS相比,對(dui)3000V以上的阻斷電壓,其(qi)通態電流(liu)密(mi)度可以高出幾個。
碳化硅電力電子器件研發進展與存在問題
[圖文]2007年5月28日-從而(er)具(ju)有(you)非常高(gao)的(de)浪涌電(dian)流承受能力(li)和(he)穩定的(de)過壓中的(de)PFC級應用在瞬時脈(mo)沖和(he)過壓狀(zhuang)態下具(ju)有(you)更高(gao)利(li)用具(ju)有(you)獨(du)特性(xing)能的(de)碳化硅作為器(qi)件材料,能制造出。
適合各種電源應用的碳化硅肖特基二極管-應用-電子工程世界網
高頻脈沖(chong)電(dian)鍍Ni-Co-SiC耐(nai)(nai)(nai)蝕(shi)性耐(nai)(nai)(nai)磨性陽極(ji)(ji)極(ji)(ji)化結構研究了電(dian)源頻率、占空(kong)比、陰極(ji)(ji)電(dian)流密度及鍍液中鈷1袁逖;高頻脈沖(chong)電(dian)沉積鎳鈷碳化硅鍍層(ceng)耐(nai)(nai)(nai)蝕(shi)性耐(nai)(nai)(nai)磨。
高頻脈沖電沉積鎳鈷碳化硅鍍層耐蝕性耐磨性的研究-《北京交通
正采用60m長的(de)(de)138kV電(dian)力電(dian)纜產(chan)生(sheng)的(de)(de)幾十(shi)萬伏、2萬安以(yi)上(shang)的(de)(de)電(dian)流、波頭時(shi)間約50ns的(de)(de)脈沖。被試品為9kV金屬氧化(hua)物及碳化(hua)硅(gui)避(bi)雷器(qi)。避(bi)雷器(qi)的(de)(de)電(dian)壓響應(ying)包括陡的(de)(de)過沖電(dian)壓。
碳化硅避雷器-學術百科-知網空間
2013年1月30日-美國陸軍研究(jiu)人員正在向(xiang)行業(ye)尋(xun)求(qiu)開發進的(de)碳化硅(SiC)半導體功率電子技術種高等(deng)級配置的(de)高壓(ya)開關,脈(mo)沖(chong)電壓(ya)15000V,小電壓(ya)10000V,電流(liu)峰(feng)值30A,。
美國陸軍尋求下一代碳化硅軍用高壓開關設備-中新網
采(cai)用XeCl準分子(zi)脈沖激光退(tui)火技(ji)術制(zhi)備了納(na)米晶態碳(tan)化硅薄膜(nc—SiC),并對薄膜的光致(zhi)發(fa)光(PL)特性進行(xing)了分析。結果(guo)表明,納(na)米SiC薄膜的光致(zhi)發(fa)光表現(xian)為300-600nm.范圍。
脈沖激光退火納米碳化硅的光致發光
[圖文]V為驅(qu)動脈(mo)沖(chong)電(dian)(dian)壓,驅(qu)動電(dian)(dian)流為脈(mo)沖(chong)電(dian)(dian)流.V為驅(qu)動脈(mo)沖(chong)電(dian)(dian)壓,驅(qu)動電(dian)(dian)流為脈(mo)沖(chong)電(dian)(dian)流.收藏此(ci)頁(ye)推薦(jian)給好友09-23[技術(shu)資訊]碳(tan)化(hua)硅在高溫范(fan)圍(wei)內(nei)具有低開(kai)關損耗的MOSFE。
紅外發光二極管的直流脈沖電流驅動_電路圖-華強電子網
[圖文]這種改(gai)進的過壓(ya)和浪涌電流能(neng)力(li)(li)可以使(shi)二極管的壓(ya)力(li)(li)減小,使(shi)應(ying)用具有(you)(you)更(geng)高的可靠性。SiC肖特基二極管——適合各種供電條(tiao)件的解決方(fang)案利(li)用具有(you)(you)獨特性能(neng)的碳化硅作為器件。
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論文(wen)天下提供的<高頻脈沖電(dian)沉積鎳鈷碳化硅鍍(du)層耐蝕(shi)性(xing)耐磨性(xing)的研究;論文(wen)包括(kuo)高頻脈沖電(dian)鍍(du)Ni-Co-SiC耐蝕(shi)性(xing)耐磨性(xing)陽極極化結構等(deng)其他(ta)相關內容論文(wen)。
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諸暨市特(te)耐(nai)工(gong)程陶瓷有限(xian)公司碳(tan)化硅脈沖類型(xing):脫硫除(chu)塵(chen)器林格曼(man)黑度(du):3級品(pin)牌:帕特(te)納型(xing)號:碳(tan)化硅噴嘴脫硫率:97(%)除(chu)塵(chen)率:96(%)阻力損失:-(Pa),環球貿易網為(wei)您提供。
脈沖激光退火納米碳化硅薄膜的拉曼散射研究RamanSpectraof
2010年8月17日-0405SC-2200M碳化硅晶體(ti)管,射頻峰(feng)值功率達2200瓦,可用(yong)于大功率超高頻脈(mo)沖系(xi)統的(de)另一些優(you)點包括簡化阻抗匹配,125伏的(de)操縱(zong)電壓,低電導電流,高峰(feng)值。
碳化硅脈沖
溫(wen)度脈沖(chong)方(fang)法制備碳(tan)/碳(tan)化(hua)硅(gui)(gui)復(fu)合材(cai)料界面的微觀結構與(yu)性(xing)能研(yan)究(jiu)袁明(ming),黃政仁,董紹明(ming),朱(zhu)云洲,江(jiang)東亮中國科學院上(shang)海(hai)硅(gui)(gui)酸鹽研(yan)究(jiu)所,上(shang)海(hai)200050。
Microsemi公司推出用于大功率超高頻脈沖雷達的碳化硅晶體管_兵器
河北大學(xue)(xue)碩(shuo)士(shi)學(xue)(xue)位(wei)論文納米碳化硅的(de)脈沖激(ji)(ji)光燒蝕(shi)沉積及其光學(xue)(xue)特性(xing)研(yan)究姓名(ming):孫運濤(tao)申(shen)請學(xue)(xue)位(wei)級別:碩(shuo)士(shi)專業:光學(xue)(xue)指導教師:于威20030101摘(zhai)要(yao)本工作采用脈沖激(ji)(ji)光。
溫度脈沖方法制備碳/碳化硅復合材料界面的微觀結構與性能研究
2013年(nian)1月30日-美國陸軍研究人員正在向行(xing)業尋求開發進(jin)的碳化硅(SiC)半導體功率電(dian)(dian)子技術(shu)種高等級配置的高壓開關,脈沖(chong)電(dian)(dian)壓15000V,小電(dian)(dian)壓10000V,電(dian)(dian)流峰值30A,。
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[圖文]從而具(ju)有非(fei)常高的浪(lang)涌電(dian)流承受(shou)能(neng)力和穩(wen)定的過壓(ya)特(te)性(xing)。網(wang)中的PFC級應用(yong)在瞬時脈沖(chong)和過壓(ya)狀態下具(ju)有更高的利(li)用(yong)具(ju)有獨特(te)性(xing)能(neng)的碳化硅作為器件(jian)材(cai)料,能(neng)制造出接近。
FGD脈沖懸浮泵碳化硅噴嘴脫硫除塵設備-中國供應商
通過(guo)激光脈(mo)沖波形與光電流脈(mo)沖波形的(de)(de)比較(jiao),估算出2種光導(dao)開關的(de)(de)載流子壽命(ming)和載流子的(de)(de)基礎(chu)上改進設計,研制出了工(gong)作電壓(ya)超(chao)(chao)過(guo)10kV、工(gong)作電流超(chao)(chao)過(guo)90A的(de)(de)碳化硅光導(dao)。
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影響碳化硅光導開關小導通電阻的因素-論文摘要-中國光學期刊網
2008年9月26日-這些測試包括使(shi)用1祍脈沖,開(kai)關時(shi)間比為1000,在“開(kai)”狀態驅動電流是100本文鏈(lian)接(jie):碳化硅電子:全球(qiu)協會提(ti)倡SiC高頻(pin)PI:/news。
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[圖文]GaN器件包含五項重要特征:高(gao)介電(dian)強度(du)(du)、高(gao)工(gong)作溫(wen)度(du)(du)、大電(dian)流密度(du)(du)、高(gao)開(kai)關速(su)度(du)(du),如何在(zai)高(gao)效脈(mo)沖跳頻模式(shi)下選擇輸出濾波(1)智能電(dian)視前進(jin)路(lu)上的三座。
碳化硅袋式脈沖除塵器技術,脈沖除塵設備美化高手-選礦設備_買賣
1200V增(zeng)強型(xing)碳化硅縱向結型(xing)場(chang)效應晶(jing)體管功(gong)率模(mo)塊《電(dian)(dian)力電(dian)(dian)子》2011年第4期開關測試采用了標(biao)準的雙脈沖感性負載電(dian)(dian)路(lu),在600V、100A、溫度分別(bie)為25℃和150。
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阿里(li)巴(ba)巴(ba)大量供應碳(tan)化(hua)(hua)硅(gui)超細(xi)磨(mo)碳(tan)化(hua)(hua)硅(gui)專用磨(mo)碳(tan)化(hua)(hua)硅(gui)微(wei)粉磨(mo)脈沖除(chu)塵器-金屬硅(gui)磨(mo)粉,,這(zhe)里(li)云(yun)集了眾多的供應商(shang),采購商(shang),制造商(shang)。這(zhe)里(li)大量供應碳(tan)化(hua)(hua)硅(gui)超細(xi)磨(mo)碳(tan)化(hua)(hua)硅(gui)專用磨(mo)。
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[圖文(wen)]2012年4月16日(ri)-既能滿足電子模塊的正常工作電流(圖1中的If),也能承受(shou)ISO7637-2脈(mo)沖[新品快(kuai)訊]美(mei)高森(sen)美(mei)推出碳化硅(SiC)材料和技術的全新1200V肖特基二極管(guan)。
碳化硅超細磨|碳化硅專用磨|碳化硅微粉磨|脈沖除塵器-金屬硅磨粉_
[圖文]標簽:600509石(shi)墨(mo)烯碳化(hua)硅(gui)背景(jing)資(zi)料(liao)老(lao)孟股票具有電荷(he)這種性質(zhi),電荷(he)的(de)傳導能夠形成電流(liu)并(bing)成為電子(zi)采用(yong)脈沖電子(zi)輻(fu)照技(ji)術在(zai)SiC基底上外延石(shi)墨(mo)烯是我們。
綠碳化硅脈沖除塵器工作原理,脈沖除塵器發展適生_鄭州嵩陽
二:電(dian)流(liu)互(hu)感(gan)器保(bao)護(hu)用于保(bao)護(hu)電(dian)流(liu)互(hu)感(gan)器即CTPU.典(dian)型應用于互(hu)感(gan)器二次過壓(ya)保(bao)護(hu),此類(lei)電(dian)阻片的靈活(huo)性使其得到(dao)廣范應用,可用于熒光燈的尖峰脈沖(chong)抑制(直徑為26mm的。
ISO7637-2脈沖3b-根據雪崩性能選擇肖特基二極管-電子發燒友網
(3)從損壞的(de)(de)避雷器閥片(pian)來(lai)看,這些避雷器的(de)(de)閥片(pian)所用的(de)(de)碳化(hua)硅(gui)比較松(song)散,多(duo)半是這根電(dian)線有(you)脈沖電(dian)流(liu)渡過,這時(shi),測定在配電(dian)線路(lu)的(de)(de)導體上(shang)感應(ying)的(de)(de)電(dian)壓波(bo)形。相(xiang)應(ying)的(de)(de)。
600509:石墨烯碳化硅項目的背景資料_孟利寧_新浪博客
2013年8月(yue)21日-尤其(qi)是碳化硅微粉(fen)磨的生產(chan)加工中,粉(fen)塵(chen)外泄問(wen)題為嚴重(zhong),上(shang)海卓亞礦山機械有限(xian)公司研究者為其(qi)進(jin)行相應的分析與(yu)設備的改造(zao)實(shi)驗,終得出使用脈沖除塵(chen)器的。
M&I碳化硅非線性放電電阻_電子元器件_電阻器_壓敏電阻器_產品庫_
[圖文(wen)]2011年(nian)8月4日-現在(zai)還有(you)許多公司在(zai)用(yong)不同的(de)基(ji)底(如藍寶石和碳(tan)化硅)生產GaNLED,這些LED該(gai)電路(lu)的(de)基(ji)本(ben)功(gong)能是產生低頻、快速(su)、大(da)功(gong)率(lv)驅動電流脈沖信號,輸出(chu)脈沖的(de)。
什么是工頻電流?工頻是什么意思?_工程_技術_科技_機械_天涯問答
2013年7月22日-1998年已有(you)頻率(lv)1.3GHz,脈沖(chong)輸出功(gong)率(lv)400W的報道[;。2.2碳(tan)化(hua)硅功(gong)率(lv)雙極開發碳(tan)化(hua)硅BJT的主要問題是提高電(dian)(dian)流增(zeng)益(yi)。早期6H-SiCBJT的電(dian)(dian)流增(zeng)益(yi)只有(you)10。
碳化硅微粉磨應用脈沖除塵器凈化環境效果好
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詳解大功率藍光LED光源驅動電路設計方案-中國LED網資訊
碳(tan)化(hua)(hua)硅顆粒化(hua)(hua)學鍍鎳對鐵基(ji)復合材料(liao)性能的(de)影(ying)響張(zhang)躍波1,宗亞平1,曹新建1,張(zhang)龍(long)21.東北大學材料(liao)各向異性與織構教(jiao)育部實驗室沈陽1108192.金策工業綜合。