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半導體制造用高純超細碳化硅粉末產品產業化項目通過驗收_業界動態

2007年6月21日-這一項(xiang)目采用碳化硅(gui)單(dan)結晶加工物做為(wei)粉碎介(jie)質、應用水流(liu)粉碎機(ji)、粉碎工程內分級和酸(suan)堿洗凈(jing)技術,開(kai)發出了純度高、雜質含(han)量低的超細碳化硅(gui)微粒,并打入了。

二次離子質譜分析碳化硅中釩雜質含量的研究-收費碩士博士論文-

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工業碳化(hua)硅(gui)因所(suo)含雜質的種類和含量不同,而呈(cheng)淺黃、綠、藍(lan)乃(nai)黑色,透(tou)明度(du)隨其產(chan)品適用于(yu)制造碳化(hua)硅(gui)細(xi)粉和超(chao)細(xi)陶瓷級碳化(hua)硅(gui)粉料。Electro磨(mo)料公司Electro磨(mo)料。

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超細碳化硅微粉的制備及反應燒結碳化硅性能的研究-豆丁網

但是由(you)于普(pu)通RBSC陶瓷的(de)原料雜質含量高、粒徑分(fen)布寬(kuan)及(ji)成型工(gong)藝和燒結工(gong)藝的(de)多(duo)樣化超細碳化硅(gui)微粉的(de)制(zhi)備及(ji)反(fan)應燒結碳化硅(gui)性(xing)能的(de)研究文檔分(fen)類論文-。

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含量:99.9產品(pin)規格(ge):1000nm產品(pin)包裝:1kg/包且(qie)不會帶入雜質,是金剛石磨料的(de)理(li)想替代品(pin);5、;;納米(mi)碳化(hua)硅,超細碳化(hua)硅,碳化(hua)硅相關供應商。

碳化硅_百度百科

本發明涉及一種應用(yong)X射線(xian)熒光(guang)光(guang)譜(pu)法(fa)檢測(ce)碳化硅(gui)雜質含量的方法(fa),其步驟如下:1、制備測(ce)試樣(yang)片;2、制備標準樣(yang)片:①提純碳化硅(gui)的制樣(yang);②碳化硅(gui)提純,制備出純品碳化硅(gui);③。

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反應燒結超(chao)細(xi)SiC原位凝固/干壓成型(xing)碳密度顯微結構力(li)學性能但是由于普通(tong)RBSC陶瓷(ci)的原料雜質含量(liang)高、粒(li)徑(jing)分布1尹長霞;超(chao)細(xi)碳化硅微粉的制備及反應燒結碳化硅。

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張波—碳化硅_百度文庫

(編號:WND1109723-0059-0005)一種高純(chun)超細碳化硅*粉回收提純(chun)分(fen)級技術[技術摘要(編號:WND1109723-0068-0007)應用X射線熒(ying)光光譜法檢測(ce)碳化硅雜質含量(liang)的方法(。

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納米(mi)碳化硅查看原圖(點擊放大(da))價格(ge):面議(yi)/電議(yi)對(dui)象(xiang)客戶(hu):陶瓷,金屬(shu)(shu),高(gao)分子,金屬(shu)(shu)雜質含量:400ppmD50:50-60nm比表面積:21.94m2/g外觀:灰綠色粉末。

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2011年6月13日-提高產品質量,減少碳化硅產品中的雜質成(cheng)份(fen)含量。提高碳化硅產品的純(chun)度、的晶體在破碎時,因強度低,韌性(xing)差,受外(wai)力作用首先(xian)被(bei)粉碎成(cheng)粉狀顆粒或超細。

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2013年4月(yue)3日-有的(de)工廠采用低檔原(yuan)(yuan)料如鐵質(zhi)砂(sha)、沉淀池和(he)收(shou)塵裝置收(shou)集(ji)的(de)碳化硅(gui)細粉(fen)來制(zhi)造微粉(fen),這(zhe)也是可(ke)行的(de)方法,且可(ke)以降低制(zhi)造成(cheng)本。但這(zhe)些(xie)原(yuan)(yuan)料雜質(zhi)含量(liang)多(duo),因而必(bi)須。

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加強生產工藝管理提高碳化硅產品質量

6、重結晶碳(tan)化(hua)硅(gui)(gui)制(zhi)品專用碳(tan)化(hua)硅(gui)(gui)粒度砂生產方法(fa)7、碳(tan)化(hua)硅(gui)(gui)超細微粉(fen)及其生產方法(fa)8、亞47、應(ying)用X射(she)線熒光(guang)光(guang)譜法(fa)檢(jian)測(ce)碳(tan)化(hua)硅(gui)(gui)雜質含量的方法(fa)48、連續碳(tan)化(hua)硅(gui)(gui)纖維制(zhi)造用油劑。

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無法滿(man)足這(zhe)樣的(de)需要,針(zhen)對(dui)有需要有很廣(guang)大(da)的(de)市場這(zhe)個需求,我們(men)的(de)張總經理帶領科技人(ren)才的(de)不斷的(de)創新(xin)和實踐中(zhong),克(ke)服了(le)重重的(de)困難(nan),終研(yan)制出了(le)一種新(xin)型碳化硅超細微粉。

碳化硅生產技術配方工藝技術大全-圖書-工具書/百科全書-

2012年(nian)8月(yue)21日-841CN200810050205.5一(yi)種高(gao)純超細碳(tan)化硅(gui)微粉回收提(ti)純分級技術842CN990CN200910228151.1應用(yong)X射(she)線熒(ying)光(guang)光(guang)譜法檢測碳(tan)化硅(gui)雜質含量的方法991CN。

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結果(guo)表明,納米碳化硅(gui)粒(li)子能在很低的(de)含(han)量(liang)下提高環氧樹脂耐(nai)磨(mo)性、并降低其摩擦系數336.劉玲,黃(huang)爭鳴,周燁欣,徐貴(gui)營(ying).超細纖維增(zeng)強復合材料Ⅰ型層間斷裂韌性。

新型碳化硅超細微粉磨機生產行業要提高技術含量_sanest9493-

出現熱(re)分解(jie)溫度降(jiang)低在宏觀上可(ke)能(neng)是由(you)于雜質(zhi)在本體溶液(ye)中的(de)依數性熱(re)力學效應所導致。通(tong)過掃描電鏡分析發現,當納米碳化硅SiC含量為1%時,晶胞尺寸(cun)增大到了535μm,但有。

碳化硅生產工藝技術(3)550項-阿里巴巴創業資訊

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合成(cheng)碳化硅產品的提(ti)(ti)純方(fang)面的信息(xi),提(ti)(ti)純方(fang)法與提(ti)(ti)純結果等,特別是對(dui)其(qi)中雜質鐵(tie)的去除合成(cheng)的超細粉β—SiC含量為88.07%(SiO_2轉化率為97.44%).期間分(fen)析了煤矸石。

納米碳化硅粉末在聚合物中的應用-企業新聞-上海超威納米科技

金(jin)剛砂(金(jin)剛沙)純碳化(hua)硅(gui)(gui)(gui)是無色透明(ming)的(de)晶(jing)體。工業碳化(hua)硅(gui)(gui)(gui)因(yin)所含(han)雜質(zhi)的(de)種類和(he)含(han)量不同,而呈淺黃、綠、藍乃06-19批發(fa)零售(shou)碳化(hua)硅(gui)(gui)(gui)粉(價格優惠)碳化(hua)硅(gui)(gui)(gui)粉黑碳化(hua)硅(gui)(gui)(gui)。

碳化硅的主要用途_百度知道

2012年(nian)12月28日-碳(tan)化(hua)硅冶煉時的(de)分(fen)解(jie)過程,實質(zhi)上是產(chan)品的(de)凈(jing)化(hua)過程。分(fen)解(jie)過程次(ci)數越(yue)多,產(chan)品凈(jing)化(hua)程度(du)充(chong)分(fen),凈(jing)化(hua)程度(du)越(yue)徹底,終的(de)產(chan)品越(yue)純凈(jing),產(chan)品中雜質(zhi)含量(liang)越(yue)少,其(qi)韌性。

碳化硅的純度問題

其中(zhong),雜(za)(za)質少的(de)呈綠色,雜(za)(za)質多的(de)呈黑色。2、化在高(gao)溫下發生反應,由(you)此制備納米級的(de)β-碳化硅超細粉氧含量高(gao)低(di),通常C的(de)添(tian)加量與碳化硅粉料中(zhong)的(de)氧含量。

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如碲化(hua)(hua)鉛(PbTe)、砷化(hua)(hua)銦(InAs)、硫化(hua)(hua)鉛(PbS)、碳化(hua)(hua)硅(SiC)等。與(yu)金屬材料不同,半導體(ti)中雜質(zhi)含量(liang)和外界條件的改變(bian)(如溫度變(bian)化(hua)(hua)、受光照射等),都會使(shi)半導體(ti)的。

介紹有關碳化硅晶體中參雜的雜質|泰州市宏光金剛砂耐磨材料廠

純碳化(hua)硅(gui)是無色(se)(se)透明的晶體。工業碳化(hua)硅(gui)因所(suo)含(han)雜質的種(zhong)類和(he)含(han)量不同(tong),而(er)呈(cheng)淺(qian)黃、綠、藍乃黑色(se)(se),透明度(du)(du)隨其純度(du)(du)不同(tong)而(er)異。碳化(hua)硅(gui)晶體結構分為六(liu)方或菱面體的α-。

碳化硅陶瓷生產工藝-中國窯爐信息網

一種碳化(hua)硅(gui)納米纖維(wei)(wei)的(de)(de)制(zhi)備(bei)方(fang)法,它涉及(ji)一種陶瓷纖維(wei)(wei)的(de)(de)制(zhi)備(bei)工藝(yi)。為了解決現(xian)有方(fang)法纖維(wei)(wei)的(de)(de)雜質含量極(ji)低,纖維(wei)(wei)的(de)(de)直徑在20~200nm之間(jian),長度在幾個毫米之間(jian),表(biao)面光滑,。

碳化硅中一般都含有什么雜質?_已解決-阿里巴巴生意經

2013年3月19日-1041CN200810050205.5一種高(gao)純超細碳化硅(gui)微粉回(hui)收(shou)提純分級(ji)技術1042CN1190CN200910228151.1應(ying)用X射線熒光(guang)光(guang)譜法(fa)檢測碳化硅(gui)雜質含量的方(fang)法(fa)1191CN。

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一種碳化硅納米纖維的制備方法

濰坊凱華(hua)碳化(hua)硅微(wei)(wei)粉生產各(ge)種型號碳化(hua)硅微(wei)(wei)粉,碳化(hua)硅超(chao)細微(wei)(wei)粉,純度高(gao)、粒型好(hao)、更穩定(ding),用(yong)于反應(ying)燒結(jie)、五壓燒結(jie)、硅碳棒新工藝、研(yan)磨拋、光防腐、涂腐、尾氣處理(DPF)。

碳化硅生產及應用技術(3)500項-阿里巴巴創業資訊

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碳化硅超細粉體的制備和流態化處理

2010年5月26日-摘要(yao):采(cai)用納米碳化硅(nm-SiC)對氰酸(suan)酯樹(shu)脂(CE下(xia)抽真空4h,除去吸附的(de)水分(fen)及小分(fen)子雜質,密封納米SiC:粒徑(jing)4060nm,灰(hui)綠(lv)色超細粉末,合肥。

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