化學機械研磨后清洗技術簡介_百度文庫
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芯片制造化學(xue)機械研磨廢水處理(li)回用(yong)(yong)摘要(yao):化學(xue)機械研磨廢水產生量大(da)但總體污染(ran)物(wu)濃度不(bu)高,回用(yong)(yong)潛力巨大(da),其處理(li)及回用(yong)(yong)技術是(shi)芯片制造企(qi)業的研究(jiu)。文章。
化學機械研磨廢水處理及回用技術的研究進展-《環境科學與技術》
“楔形”TEM樣(yang)品的機(ji)械研磨制備技術張啟華(hua),趙(zhao)燕麗,高強,李明,牛崇實,簡維(wei)廷(中(zhong)芯國際集成電路制造有限公司,上海201203)摘要:介紹了(le)一種(zhong)用機(ji)械。
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本發明提(ti)供(gong)了一種化學機械(xie)研磨(mo)的方法,包括下列(lie)步驟:提(ti)供(gong)半(ban)導體襯(chen)底,所述(shu)半(ban)導體襯(chen)底上具有(you)介(jie)質層,所述(shu)介(jie)質層內(nei)包含通孔和(he)/或溝槽(cao);在介(jie)質層上及通孔和(he)/或溝槽(cao)的。
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英特爾半導體(大連(lian))有限公司招(zhao)聘化(hua)學機(ji)械(xie)研(yan)(yan)磨(mo)液技術員,發布時間:2010年04月09日(ri),職位類別:全職,工作地(di)區:大連(lian),職位描述:化(hua)學機(ji)械(xie)研(yan)(yan)磨(mo)液技術員工作要求:?輔助工程師。
一種化學機械研磨的方法_百度搜索
2006年12月18日-近日,應用材(cai)料公司(si)宣布(bu)為200mmCMP(化(hua)學(xue)機械(xie)研磨(mo))系統推出創新的(de)AppliedDuraPadCMP(化(hua)學(xue)機械(xie)研磨(mo))拋光(guang)墊(dian)技術。DuraPad的(de)使用壽(shou)命比現(xian)有的(de)研磨(mo)墊(dian)少延長了。
技術合作-晶圓技術工藝薈萃-機械研磨類技術工藝全集-技術合作盡在
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近(jin)日,應用材料公司宣布為200mmCMP(化學機械(xie)研(yan)磨)系(xi)統推出創(chuang)新的(de)AppliedDuraPadCMP(化學機械(xie)研(yan)磨)拋(pao)光墊(dian)技術(shu)。DuraPad的(de)使用壽命比現有的(de)研(yan)磨墊(dian)少延(yan)長(chang)了30%,有效地。
應用材料公司推出先進的化學機械研磨拋光墊技術
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銅互連和低(di)K材(cai)料是半導體深亞微米工藝(yi)中(zhong)涉及(ji)的兩(liang)個(ge)重要的技術,而這兩(liang)種新技術的發(fa)展也給(gei)傳統的化學機械研磨(CMP)工藝(yi)提出了(le)挑戰。
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本實(shi)用新(xin)型涉及一(yi)種化學機械研(yan)(yan)磨設備,包括:研(yan)(yan)磨臺支(zhi)架;少(shao)兩個研(yan)(yan)磨臺,由下上(shang)分層(ceng)設置(zhi)(zhi)于所述研(yan)(yan)磨臺支(zhi)架中(zhong),每(mei)一(yi)所述研(yan)(yan)磨臺上(shang)表面設置(zhi)(zhi)有(you)研(yan)(yan)磨墊,下表面設置(zhi)(zhi)有(you)支(zhi)撐。
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2012年(nian)1月18日-什(shen)么(me)是研磨(mo)加工?發布時間:2013-01-18來源:機(ji)械專家網(wang)利(li)用涂敷(fu)或壓嵌在研具(ju)上(shang)的磨(mo)料顆粒(li),通過(guo)研具(ju)與(yu)工件(jian)在一定壓力。
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先進銅化學機械研磨技術半導體工藝突破65nm節點-測試與測量-
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2013年7月26日-該項目(mu)(mu)開(kai)發的(de)納米級(ji)高(gao)效研磨(mo)加(jia)工技術在(zai)加(jia)工效率(lv)、加(jia)工成本、加(jia)工質(zhi)量和加(jia)工精度上具(ju)有明(ming)顯的(de)優(you)勢,具(ju)有很好的(de)應(ying)用前景。項目(mu)(mu)組研制出的(de)采用本項新技術的(de)。
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