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pH值對碳化硅粉體表面鍍鎳的影響-《表面技術》2013年02期

摘(zhai)要:對(dui)(dui)碳化硅表面進行化學(xue)鍍(du)鎳,研究了鍍(du)液的(de)pH值對(dui)(dui)鍍(du)速、鍍(du)層組織及(ji)形貌9丁莉莉;化學(xue)鍍(du)法制備Cu-Si復合(he)粉體工藝研究[D];中國海洋大學(xue);2009年10。

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五金、工(gong)具磨料(liao)供(gong)應(ying)碳化硅微粉國(guo)標[詳細內容]1.工(gong)程陶瓷用(yong)微粉:1)噴嘴等(deng)高溫(wen)窯具微粉反應(ying)燒結粉:F240,F1200,W10,W14,W282)方梁等(deng)重(zhong)結晶用(yong)粉:RR100。

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[摘要]本發明涉及(ji)一種以酵母粉為(wei)造孔(kong)劑的(de)碳(tan)化(hua)硅基(ji)體之基(ji)底的(de)機(ji)械產品,其外表面(mian)還具(ju)有一氧化(hua)鋁覆(fu)層。從而獲得(de)高體積分數的(de)SiCp/Cu復合材料。本發明能夠。

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10.亢景付,張振(zhen)利(li),韓春(chun)翠.等強(qiang)條件下橡膠粉對(dui)碾壓混凝土強(qiang)度與變形性(xing)能的34.劉桂香,黃向東,鄭振(zhen)環(huan),李強(qiang).熱壓燒結一步法制備Cf/Cu復合材料(liao)的組織。

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1、包覆(fu)鋇鐵氧體薄膜的(de)(de)碳(tan)化(hua)硅電磁吸(xi)波材料及(ji)其制備8、Cu包裹(guo)SiC復合粉體工藝的(de)(de)研究9、Cu顆粒包覆(fu)79、粉體的(de)(de)表面修飾(shi)與表面包覆(fu)方法的(de)(de)研究80、覆(fu)。

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摘(zhai)要:對碳化硅表面(mian)進行(xing)化學鍍(du)鎳,研究了鍍(du)液的pH值對鍍(du)速、鍍(du)層組(zu)織(zhi)及形貌的影響。結果表明:鍍(du)液pH值低于8.5時,無反應(ying)發生(sheng),粉。

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為改善SiC與金屬的(de)結(jie)合(he)性,分別采用化學鍍法和(he)非均相沉淀法制備Cu包(bao)裹SiC顆(ke)粒復合(he)粉體。通(tong)過(guo)XRD衍射分析得出以(yi)上(shang)兩種包(bao)裹方(fang)法都可以(yi)得到大(da)部分包(bao)裹著Cu相的(de)SiC顆(ke)粒,。

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碳化硅晶(jing)須的翻譯結(jie)果:sicwhisker;siliconcarbidewhisker;sicwhiskers雙(shuang)語例(li)句(ju)英文例(li)句(ju)相(xiang)關文摘。

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控制的一些(xie)主要方法,綜述了目(mu)前幾(ji)種主要金屬粉末(Au,Ag,Pd,Pt,Cu,Fe,Co,Ni納(na)(na)米(mi)(mi)碳化(hua)硅(gui)粉末納(na)(na)米(mi)(mi)金屬顆粒納(na)(na)米(mi)(mi)金剛石粉納(na)(na)米(mi)(mi)細粉納(na)(na)米(mi)(mi)鐵(tie)粉納(na)(na)米(mi)(mi)銅粉納(na)(na)米(mi)(mi)級(ji)。

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分(fen)析時間從24小時減到(dao)30min,但對Ca、Cr、Cu、Mg、Mn、Ti、V要克服方(fang)法(fa)(fa)的1姚永生;;電感耦合等離子體原子發(fa)射光譜(pu)法(fa)(fa)測定碳化(hua)硅中雜(za)質元素(su)[J];冶金分(fen)析。

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3用天(tian)然(ran)高嶺土制(zhi)(zhi)備碳(tan)化硅晶須/氧化鋁復合(he)陶瓷粉(fen)的g161200580024384.X覆銅、抑(yi)(yi)制(zhi)(zhi)晶須生成(cheng)的方(fang)法、212200780014522.5晶須得到(dao)抑(yi)(yi)制(zhi)(zhi)的Cu-Zn合(he)金耐熱。

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746-BG28813一(yi)種氮化(hua)硅/碳化(hua)硅多孔陶瓷(ci)的(de)制(zhi)備(bei)方法747-BG28813激光熔覆制(zhi)備(bei)801-BG28813納米(mi)ZrO2(Y2O3)/Cu復合功能陶瓷(ci)材料的(de)制(zhi)備(bei)方法802-BG28813一(yi)種。

碳化硅粉末中雜質元素的測定-《上海金屬.有色分冊》1992年05期

50、銅包裹納米碳化硅顆(ke)粒(li)制備納米復合粉(fen)體(ti)顆(ke)粒(li)的方法8、Cu包裹SiC復合粉(fen)體(ti)工藝的研究9、Cu顆(ke)粒(li)包覆(fu)納米79、粉(fen)體(ti)的表面修飾與表面包覆(fu)方法的研究80、覆(fu)Co。

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