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SiC粉末化學鍍Cu工藝研究(3)_劍心_新浪博客

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pH值對碳化硅粉體表面鍍鎳的影響-《表面技術》2013年02期

摘要:對碳化硅表面進行化學(xue)鍍鎳,研(yan)究了鍍液的pH值對鍍速、鍍層組織及(ji)形貌(mao)9丁莉莉;化學(xue)鍍法制備Cu-Si復合粉體工藝研(yan)究[D];中國海(hai)洋大學(xue);2009年10。

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2008年10月22日-納米碳化硅粉體2009-10-2210:47性能特(te)點本產品純(chun)度(du)高、粒徑小、分布均勻(yun),比表面(mian)積(ji)大、高表面(mian)活(huo)性,松(song)裝密度(du)低,具有極好的(de)力(li)學(xue)、熱(re)學(xue)、電學(xue)和。

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納米耐磨(mo)導熱碳化(hua)硅粉體詳(xiang)細說明納米碳化(hua)硅:本產(chan)品純度高,粒(li)徑小,分布(bu)均勻,比表面(mian)積大,高表面(mian)活(huo)性,松(song)裝密度低,具有極好的力學(xue)(xue)(xue),熱學(xue)(xue)(xue),電學(xue)(xue)(xue)和(he)化(hua)學(xue)(xue)(xue)性能,即具有高。

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報告導讀(du):本報告從國際超細(xi)碳(tan)(tan)化硅粉體發展、國內超細(xi)碳(tan)(tan)化硅粉體政策環境(jing)及發展、研發動態、進出口(kou)情況、生產(chan)企業、存(cun)在的(de)問題及對策等多(duo)(duo)方面多(duo)(duo)角度闡述了超細(xi)碳(tan)(tan)化硅。

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碳(tan)化硅粉體(ti)表面(mian)改性(xing)對(dui)分散性(xing)能的影響研究(jiu)蘇小紅(hong)1,周波2,武七德2,吉曉莉22.5鍶覆體(ti)系(xi)對(dui)SiC微粉分散穩定性(xing)能影響機瑗掇據DLVO理論,siC粉體(ti)可以(yi)通過靜(jing)電。

2011-2016年中國超細碳化硅粉體行業當前現狀及未來趨勢發展預測報告

五金、工具(ju)磨(mo)料供應碳(tan)化硅(gui)微(wei)(wei)(wei)粉國(guo)標[詳細內容]1.工程陶瓷用微(wei)(wei)(wei)粉:1)噴嘴等高溫(wen)窯具(ju)微(wei)(wei)(wei)粉反(fan)應燒(shao)結(jie)粉:F240,F1200,W10,W14,W282)方梁等重(zhong)結(jie)晶用粉:RR100。

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[摘要]本發(fa)明涉及一種以酵母粉為造(zao)孔劑的(de)(de)碳化硅基體之基底的(de)(de)機械產品(pin),其(qi)外表面還具有一氧化鋁覆層。從而(er)獲得高體積(ji)分數(shu)的(de)(de)SiCp/Cu復合(he)材(cai)料。本發(fa)明能(neng)夠。

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10.亢(kang)景付,張振利,韓(han)春(chun)翠(cui).等強條件下橡膠粉對碾(nian)壓混凝土強度與變形性(xing)能的34.劉桂香,黃向東,鄭振環,李強.熱壓燒結一(yi)步法制備Cf/Cu復(fu)合材料(liao)的組織。

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玉慶,作明,劉敏,周本濂,師昌緒.碳纖維涂覆碳化硅的研究[j].復合

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1、包覆鋇鐵氧體(ti)薄膜(mo)的碳(tan)化硅電磁吸波材(cai)料及其制備8、Cu包裹SiC復(fu)合粉(fen)體(ti)工藝的研(yan)究9、Cu顆粒(li)包覆79、粉(fen)體(ti)的表面(mian)(mian)修飾與表面(mian)(mian)包覆方(fang)法(fa)的研(yan)究80、覆。

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摘要:對碳(tan)化硅表面進行化學(xue)鍍(du)鎳,研究了鍍(du)液的pH值對鍍(du)速(su)、鍍(du)層組織及形貌(mao)的影響。結果表明:鍍(du)液pH值低于8.5時,無反應(ying)發生,粉。

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為改善SiC與金屬的結(jie)合性,分(fen)別采用化學(xue)鍍(du)法和非均相沉(chen)淀(dian)法制備Cu包裹SiC顆(ke)粒(li)復合粉體。通過(guo)XRD衍射分(fen)析得出以上兩種包裹方(fang)法都可以得到大部分(fen)包裹著(zhu)Cu相的SiC顆(ke)粒(li),。

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控制的一些主要方法,綜述了目前幾種主要金屬(shu)(shu)粉(fen)末(Au,Ag,Pd,Pt,Cu,Fe,Co,Ni納(na)米(mi)碳化(hua)硅粉(fen)末納(na)米(mi)金屬(shu)(shu)顆粒納(na)米(mi)金剛石粉(fen)納(na)米(mi)細粉(fen)納(na)米(mi)鐵(tie)粉(fen)納(na)米(mi)銅粉(fen)納(na)米(mi)級。

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分析時(shi)間從(cong)24小時(shi)減(jian)到30min,但對Ca、Cr、Cu、Mg、Mn、Ti、V要克服方(fang)法的1姚永(yong)生(sheng);;電感耦合等離子體原(yuan)子發射(she)光譜法測定碳(tan)化硅中雜質元素[J];冶金分析。

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3用天然高嶺(ling)土制(zhi)備碳(tan)化(hua)硅晶須(xu)/氧化(hua)鋁復合陶(tao)瓷粉的g161200580024384.X覆(fu)銅、抑制(zhi)晶須(xu)生成的方法(fa)、212200780014522.5晶須(xu)得(de)到抑制(zhi)的Cu-Zn合金耐熱。

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746-BG28813一(yi)種(zhong)氮化(hua)(hua)硅/碳化(hua)(hua)硅多孔陶瓷(ci)的制(zhi)備(bei)方法747-BG28813激光(guang)熔覆制(zhi)備(bei)801-BG28813納(na)米ZrO2(Y2O3)/Cu復合功(gong)能陶瓷(ci)材料的制(zhi)備(bei)方法802-BG28813一(yi)種(zhong)。

碳化硅粉末中雜質元素的測定-《上海金屬.有色分冊》1992年05期

50、銅包(bao)(bao)裹納米(mi)碳化硅顆粒制備(bei)納米(mi)復(fu)合(he)粉體顆粒的方(fang)法8、Cu包(bao)(bao)裹SiC復(fu)合(he)粉體工(gong)藝的研(yan)究9、Cu顆粒包(bao)(bao)覆納米(mi)79、粉體的表(biao)面(mian)(mian)修飾與表(biao)面(mian)(mian)包(bao)(bao)覆方(fang)法的研(yan)究80、覆Co。

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