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16高抑煙型(xing)阻燃劑納米氫(qing)氧(yang)化(hua)鎂(mei)的(de)制備(bei)及表面處理新方(fang)(fang)法17管式熱法煉(lian)鎂(mei)生(sheng)產工藝及其設備(bei)18過(guo)氧(yang)化(hua)鎂(mei)的(de)制備(bei)方(fang)(fang)法19活性氫(qing)氧(yang)化(hua)鎂(mei)的(de)調整方(fang)(fang)法20間接輕燒。
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2005年3月3日-二(er)、單晶氧(yang)化(hua)鎂(mei)(mei)常規生長技術單晶氧(yang)化(hua)鎂(mei)(mei)一般是在大功率(lv),三相電弧爐熔制(zhi),這種(zhong)方法的優點:生產量大,設備結構簡單。缺點是:由(you)于石墨(mo)電極在熔制(zhi)過程中進入。
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47利用硼泥生(sheng)產(chan)氧(yang)化鎂單(dan)晶的方法(fa)48用TiO<sub;2</sub;超細粉焰熔法(fa)人工合成金(jin)紅石單(dan)晶的方法(fa)和設備49一種制備金(jin)屬合金(jin)粉末的方法(fa)50硼酸鉍晶體(ti)的坩堝下降法(fa)。
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9、低氧(yang)化(hua)鎂絕熱(re)(re)材料及其生(sheng)產(chan)方(fang)法10、低氧(yang)化(hua)鎂鎂硅鐵產(chan)品的生(sheng)產(chan)工藝(yi)和設備1125、利(li)(li)用(yong)硼泥生(sheng)產(chan)氧(yang)化(hua)鎂單晶的方(fang)法26、利(li)(li)用(yong)余熱(re)(re)爐(lu)內焙燒礦石制(zhi)取電熔氧(yang)化(hua)鎂。
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13、硅基(ji)納米粉(fen)生產線輸粉(fen),收粉(fen)設備(bei)14、硅片和(he)生產單晶硅的方法15、硅微粉(fen)和(he)鋯55200310123644.1用(yong)礦熱爐生產低氧化鎂(mei)稀土鈣鎂(mei)硅鐵合金的冶煉(lian)工藝56。
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2011年11月28日-同(tong)(tong)步逆位(wei)煅燒(shao)爐(lu)生(sheng)產高活性氧化(hua)鎂張國臣,李新平,張娟,韓(han)艷(yan)敏(1.焦作市霧神化(hua)工機械有限公(gong)司(si);2.焦作市技師學院(yuan))摘要(yao)簡要(yao)介紹了(le)同(tong)(tong)步逆位(wei)煅燒(shao)爐(lu)的原理(li)。
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.0爐外預(yu)熱分解制取(qu)電熔氧化(hua)(hua)鎂(mei)工藝及其設備(bei)1402107661.8氨全循環法生產氫氧化(hua)(hua)鎂(mei)和氧化(hua)(hua)鎂(mei)114200680009667.1單晶氧化(hua)(hua)鎂(mei)及其制造(zao)方法115。
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一(yi)種利用(yong)硼泥生產氧(yang)化鎂單晶的方法(fa),將硼泥經300-600℃輕燒處理后(hou),以1∶10-20的固液比,液體(ti)為水,在壓力罐(guan)中混合,通入來自石灰窯的二氧(yang)化碳氣,濃度為10-35%,。
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在單晶(jing)基(ji)板(ban)上形成第三族(zu)氮(dan)化(hua)物外延層方法(fa)(fa)、制(zhi)品及設備(bei)0008)GaN單晶(jing)生長方法(fa)(fa)、GaN商品名(ming)稱:基(ji)板(ban)單晶(jing)技術單晶(jing)氮(dan)化(hua)鎵單晶(jing)基(ji)板(ban)半導體氧化(hua)鎂(mei)生產(chan)資料(liao)剩余時間:。
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006一種化(hua)(hua)學(xue)(xue)機械拋光(guang)(guang)單晶(jing)氧化(hua)(hua)鎂基片(pian)用的拋光(guang)(guang)液[摘(zhai)要]本技術一種化(hua)(hua)學(xue)(xue)機械拋光(guang)(guang)單晶(jing)氧化(hua)(hua)鎂基片(pian)用的拋光(guang)(guang)液,屬(shu)于化(hua)(hua)學(xue)(xue)機械拋光(guang)(guang)用的拋光(guang)(guang)液,特別涉及化(hua)(hua)學(xue)(xue)機械拋光(guang)(guang)單晶(jing)。
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