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2008年11月20日-生意社11月20日訊日前,由新疆(jiang)奎屯市龍海科(ke)技(ji)發展有限公(gong)司申報的“固(gu)定式(shi)碳(tan)化硅電阻爐節能降耗(hao)技(ji)術研究與應用”項目通(tong)過(guo)了奎屯市科(ke)技(ji)局的驗收(shou)。奎屯。

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本(ben)實用(yong)新(xin)型涉及一種新(xin)型碳(tan)化(hua)硅(gui)泡沫(mo)陶瓷太陽(yang)能空氣吸熱器(qi),它包括保溫(wen)層,在所述(shu)保溫(wen)層內(nei)部設有碳(tan)化(hua)硅(gui)泡沫(mo)陶瓷接(jie)收器(qi),所述(shu)碳(tan)化(hua)硅(gui)泡沫(mo)陶瓷接(jie)收器(qi)是(shi)圓形帶(dai)通孔的接(jie)收器(qi),在。

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2007年6月12日-我司新(xin)(xin)研制的新(xin)(xin)型碳化硅陶(tao)瓷材(cai)料,具有氣孔率接近為零(ling)、強(qiang)度高(gao)、耐(nai)腐蝕、耐(nai)磨損、抗氧化、使用壽命長等優(you)勢(shi)。使用該材(cai)料設計制造的高(gao)溫結構(gou)陶(tao)瓷。

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本(ben)實用新型(xing)涉及一種半導體器件,公開了一種應用于高壓條件下的(de)電氣設(she)備如(ru)交流(liu)電機、變頻器、開關電源、牽引傳(chuan)動等場合(he)的(de)新型(xing)碳化硅(gui)MOSFET。它包括相(xiang)互電連接的(de)漏極。

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2009年2月(yue)20日-Cree公(gong)司(si)開發(fa)用于軍事系統的新型碳化(hua)硅功率開關中廣網02-20中廣網2月(yue)20日消息(xi)Cree公(gong)司(si)與美國(guo)空軍研究實驗室(AFRL)推進(jin)理事會以及Powerex公(gong)司(si)共同。

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[圖文]碳(tan)化(hua)硅是當前國(guo)際上進的(de)第三代新型半導體材料,國(guo)內目前主(zhu)要(yao)處(chu)于研(yan)發階段(duan)。與傳統(tong)硅器(qi)件相比,碳(tan)化(hua)硅電力(li)芯片減少(shao)能耗(hao)75%,大幅(fu)降低各(ge)項設備(bei)系統(tong)的(de)整體成本并提高。

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2011年10月12日-科(ke)銳推出新型(xing)碳(tan)(tan)化硅肖特基二(er)極管-碳(tan)(tan)化硅功(gong)率(lv)器件市場(chang)者科(ke)銳公司(Nasdaq:CREE)繼續其在碳(tan)(tan)化硅功(gong)率(lv)器件向(xiang)主流功(gong)率(lv)應用的(de)推廣(guang)。與硅功(gong)率(lv)器件相比(bi),科(ke)銳。

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2013年(nian)8月(yue)25日(ri)(ri)-近(jin)日(ri)(ri),常州市利君干(gan)燥(zao)工程有限公(gong)司研制碳化硅(gui)干(gan)燥(zao)生產線克服了靜態干(gan)燥(zao)低(di)效、高耗弱點(dian),一種新型高效流態化干(gan)燥(zao)設(she)備。該機設(she)計過程充分結合氣流燥(zao)等流態干(gan)燥(zao)。

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成(cheng)型(xing)(xing)機是碳(tan)化硅(gui)(gui)壓(ya)球(qiu)機工藝(yi)的關鍵結構,其設(she)計(ji)是否合理直(zhi)接影(ying)響碳(tan)化硅(gui)(gui)的成(cheng)球(qiu)質量(liang)。碳(tan)化硅(gui)(gui)壓(ya)球(qiu)機壓(ya)球(qiu)工藝(yi)工作原理:1.碳(tan)化硅(gui)(gui)壓(ya)球(qiu)機成(cheng)型(xing)(xing)機的主要機型(xing)(xing)是對。

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2013年9月26日-碳化硅(gui)功率(lv)(lv)器(qi)件市場者科銳公司(si)繼續其在碳化硅(gui)功率(lv)(lv)器(qi)件向主(zhu)流(liu)功率(lv)(lv)應(ying)用的(de)推廣(guang)。與(yu)硅(gui)功率(lv)(lv)器(qi)件相比(bi),科銳先進的(de)碳化硅(gui)技術可降低系統(tong)成本(ben)、提高(gao)可靠性,并為。

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JNSS節能(neng)型新型碳化硅陶瓷[新材料(liao)]被(bei)列入2009年(nian)寧(ning)波市工(gong)業新產品試產計劃項目,項目屬于寧(ning)波“5+5”產業的新材料(liao),起(qi)止年(nian)限20090310-20091231年(nian),研發投入100萬(wan)元,預(yu)計。

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廿1)萬方數(shu)據第1期劉有智等(deng):新型多(duo)孔(kong)碳化硅(gui)陶瓷膜(mo)(mo)管(guan)(guan)的(de)制備(bei)與性能(neng)表征332結果與討(tao)論2.1涂膜(mo)(mo)對(dui)膜(mo)(mo)管(guan)(guan)的(de)性能(neng)影響2.1.1涂膜(mo)(mo)對(dui)膜(mo)(mo)管(guan)(guan)孔(kong)徑分布的(de)影響圖。

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2003年11月20日-新型增(zeng)強材料(liao)--碳(tan)化硅(gui)纖(xian)維中國玻璃鋼(gang)綜合(he)信息網(wang)日期:2004-11-20閱(yue)讀:4792字(zi)體:大中小雙(shuang)擊鼠標滾屏通常碳(tan)化硅(gui)纖(xian)維的(de)制造(zao)方法(fa)與硼纖(xian)維。

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2008年5月9日-碳化硅(gui)(gui)電(dian)力電(dian)子(zi)器(qi)件研(yan)發進展與存在問題,1引言(yan)借助(zhu)于微電(dian)子(zi)技術(shu)的長足發展,以(yi)硅(gui)(gui)器(qi)件為基礎的電(dian)力電(dian)子(zi)技術(shu)因大功率(lv)場效(xiao)應晶體管(功率(lv)MOS)和(he)絕緣柵(zha)雙極晶體。

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用(yong)途:碳化硅(gui)(SiC)脫(tuo)氧劑是一種(zhong)新型的強復合脫(tuo)氧劑,取代(dai)了傳統的硅(gui)粉(fen)碳粉(fen)進(jin)行脫(tuo)氧,和(he)原工藝相比各(ge)項理化性能更加穩定,使脫(tuo)氧時(shi)間(jian)縮(suo)短,節約能源,提高煉(lian)鋼(gang)效率,降(jiang)低原。

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(1)接連纖維增韌碳化硅瓷器(qi)基復合(he)材料(liao)(CMC-SiC)擁有類似金屬的斷裂(lie)行為,對裂(lie)紋不敏感,不會發(fa)生(sheng)災害性(xing)敗壞。其耐高隨(sui)和低密度(du)特性(xing),使其成為發(fa)展進步航天發(fa)念頭。

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