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用回顧性流行(xing)病(bing)學方(fang)法(fa)對不(bu)同(tong)(tong)地區不(bu)同(tong)(tong)煤質的6個煤礦的塵(chen)肺患(huan)病(bing)率進行(xing)調查分析,對不(bu)同(tong)(tong)煤質煤塵(chen)中(zhong)游離(li)二氧化硅的含量與相應(ying)塵(chen)肺患(huan)病(bing)率進行(xing)比較,探索兩者之間是否(fou)存在相關。

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不同煤種中游離二氧化硅的含量分析-《中國職業安全健康協會2009

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游離二氧化硅矽肺與肺癌-《工業衛生與職業病》1988年05期

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游離二氧化硅、矽(xi)肺(fei)與肺(fei)癌(ai),陳鏡瓊,吳(wu)植恩,陳榮安,楊敏,BlotJ.W.,MclaughlinJ,工(gong)業衛生與職業病。<正;近年(nian)來塵肺(fei)合(he)并肺(fei)癌(ai)的(de)報道(dao)增多,矽(xi)塵與肺(fei)癌(ai)有無(wu)關系(xi)?已(yi)。

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游離二氧化硅矽肺與肺癌-《工業衛生與職業病》1988年第05期-吾

在沒有X線(xian)衍(yan)射儀和紅外(wai)分光光度計的基層單位,焦磷酸質量法測定(ding)粉塵(chen)中游離二(er)氧化硅(gui)含量也(ye)是一種可(ke)靠(kao)的方法之一。該方法操(cao)作繁雜,耗時較長,要求實驗(yan)分析人員比較熟練,。

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主要有矽塵(chen)(chen)、煤塵(chen)(chen)、鍋爐(lu)塵(chen)(chen)、石棉(mian)塵(chen)(chen)、水(shui)泥塵(chen)(chen)、電焊煙塵(chen)(chen)等,其特點是粉(fen)塵(chen)(chen)中游(you)離(li)二氧化硅含(han)量較高(gao),粉(fen)塵(chen)(chen)的(de)分散(san)度也比較高(gao),即(ji)多(duo)為呼吸(xi)性粉(fen)塵(chen)(chen),因此對接塵(chen)(chen)人(ren)員的(de)危(wei)害。

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粉(fen)塵中(zhong)游離二(er)氧化硅(gui)含量,塵中(zhong)游離二(er)氧化硅(gui)的(de)(de)含量,是設(she)計除塵裝置和(he)檢查作業環境的(de)(de)重要(yao)依據(ju)。工業生產過程中(zhong)產生含有游離二(er)氧化硅(gui)的(de)(de)微細粉(fen)塵(粒徑在5μm以下)對(dui)操作人員。

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6.在(zai)煤炭行業對游離(li)二(er)氧(yang)化硅的(de)監(jian)測(ce)7.衛生檢(jian)(jian)疫,制藥,食品(pin),環保,公安(an),石油,化工(gong),光學(xue)(xue)鍍(du)膜,光通(tong)信,材料(liao)科(ke)學(xue)(xue)等(deng)諸(zhu)多領(ling)域珠寶行業的(de)檢(jian)(jian)測(ce)經濟的(de)紅外(wai)分光光度計。

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2.本文介紹(shao)了應用(yong)X射線衍射儀測定(ding)礦山呼吸性粉塵(chen)中(zhong)游離二氧(yang)化(hua)硅(gui)含量(liang)的基本原理(li)、實(shi)驗條件以及操作(zuo)過程、方(fang)法步驟(zou)等。Basicprinciple,experimentcondition,operating。

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游(you)離(li)(li)二氧化(hua)(hua)硅即:巖(yan)石或礦物中沒有與(yu)金(jin)屬或金(jin)屬化(hua)(hua)合(he)物結(jie)合(he)而呈游(you)離(li)(li)狀態的(de)二氧化(hua)(hua)硅。空氣中的(de)游(you)離(li)(li)二氧化(hua)(hua)硅對(dui)人(ren)體的(de)傷害極大,通常稱(cheng)之為粉塵,環境(jing)中的(de)粉塵種類(lei)較多(duo),。

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2013年(nian)6月21日-因(yin)為硅(gui)易于與(yu)氧聯系,自(zi)然界中沒有游(you)離態的(de)(de)硅(gui)存在(zai)。我(wo)們(men)介紹(shao)硅(gui)的(de)(de)性質、與(yu)硅(gui)膠消(xiao)光劑(ji)比較,處理過的(de)(de)二氧化硅(gui)具有不(bu)一樣(yang)的(de)(de)粒徑、粒徑散布(bu)和孔隙。

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含有碳(tan)(tan)化(hua)硅(gui)(gui)原材料(liao)和耐火制品的(de)化(hua)學分(fen)(fen)析(xi).第(di)2部分(fen)(fen):點(dian)火、總碳(tan)(tan)、單(dan)體碳(tan)(tan)和碳(tan)(tan)化(hua)硅(gui)(gui)、總二氧化(hua)硅(gui)(gui)和游離(li)(li)二氧化(hua)硅(gui)(gui)及總硅(gui)(gui)和游離(li)(li)硅(gui)(gui)減少的(de)測定Chemicalanalysisofsilicon-carbide。

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<篇首;粉(fen)塵中游離sio2含量的(de)測定有焦磷酸(suan)質量法,X線衍射法和紅(hong)外(wai)光譜法,后(hou)兩種(zhong)方法因(yin)儀(yi)器昂貴、操作(zuo)條件要(yao)求高等原因(yin),在基層(ceng)很少應用,焦磷酸(suan)質量法是現行使(shi)用的(de)。

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