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9、3年以上碳化硅晶(jing)體生長(chang)工(gong)藝制定和操作(zuo)經(jing)驗,具有(you)工(gong)廠生產(chan)和管理(li)經(jing)驗者優先。二、崗位職(zhi)責(ze):1、根(gen)據(ju)設備狀況制定工(gong)藝實(shi)驗并實(shi)施;2、對操作(zuo)人員(yuan)進行(xing)管理(li),確保(bao)實(shi)驗順利(li)。

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有(you)研(yan)究(jiu)者以Al2O3為添加(jia)劑(ji),通(tong)過熱壓燒(shao)結工藝,也(ye)實現了(le)碳化(hua)硅的(de)致密(mi)化(hua),并(bing)認為其(qi)機理是液相燒(shao)結。此外,還(huan)有(you)研(yan)究(jiu)者分別以B4C、B或B與C,Al2O3和C、Al2O3和Y2O3。

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2008年(nian)12月29日(ri)-西安理工大(da)學承擔的(de)陜西重大(da)科技創新項目(mu)“大(da)直徑碳化硅晶(jing)體生長工藝及設(she)備(2005ZKC05-02)”于(yu)2008年(nian)12月24日(ri)通過(guo)驗(yan)收(shou)。由陜西省科學技術廳會(hui)同(tong)省。

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2006年(nian)7月(yue)6日-西(xi)安理工大學(xue)電子(zi)工程系(xi)陳治明教授承擔的陜西(xi)省重大科技創(chuang)新項(xiang)目“大直(zhi)徑碳(tan)化硅晶體生(sheng)長(chang)工藝及設備”進展(zhan)順利,目前已(yi)用該(gai)課題組自行(xing)研制(zhi)、具有自主知(zhi)識產權。

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[摘要]一種制(zhi)造單晶碳化(hua)硅(gui)薄膜的(de)設(she)備(bei),包(bao)括適于接受(shou)成(cheng)膜用的(de)SOI基材100的(de)成(cheng)膜利用本發明的(de)方法(fa)制(zhi)備(bei)碳化(hua)硅(gui)納米棒,其工藝實施簡單、易于大批(pi)量生產、制(zhi)備(bei)溫度低。

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