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大直徑碳(tan)化硅晶(jing)體生長工藝及設備技(ji)術編號(hao):TEC00011700號(hao):所屬行業:冶金[該(gai)行業投資商(shang)]成熟度:構(gou)思(si)階段投資額度:面議(yi)轉讓(rang)方式:面議(yi)轉讓(rang)費:面議(yi)我。

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冶煉(lian)工藝方(fang)(fang)法(fa)及設(she)備技術1766項4盤(pan)X變功率送電(dian)冶煉(lian)碳化硅的(de)方(fang)(fang)法(fa)194CN00116109.1V<sub;2</sub;O<sub;3</sub;電(dian)鋁熱法(fa)冶煉(lian)FeV<sub;80</sub;工藝195CN。

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9、3年以上碳化硅晶體生長工(gong)(gong)藝制定(ding)和(he)操(cao)作(zuo)經驗,具有(you)工(gong)(gong)廠生產和(he)管(guan)理經驗者優先。二、崗位職責:1、根(gen)據設備狀(zhuang)況制定(ding)工(gong)(gong)藝實驗并(bing)實施;2、對(dui)操(cao)作(zuo)人員進行管(guan)理,確保(bao)實驗順(shun)利。

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有研(yan)究者以(yi)Al2O3為添加劑,通過(guo)熱壓(ya)燒(shao)結工藝,也(ye)實現了碳(tan)化(hua)(hua)硅的致密化(hua)(hua),并認為其機理是(shi)液相燒(shao)結。此(ci)外,還有研(yan)究者分別(bie)以(yi)B4C、B或B與C,Al2O3和(he)C、Al2O3和(he)Y2O3。

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2008年12月29日-西(xi)安理工(gong)大(da)學承擔(dan)的(de)陜西(xi)重大(da)科技創新(xin)項目“大(da)直徑(jing)碳化硅晶體生長工(gong)藝及設備(bei)(2005ZKC05-02)”于2008年12月24日通過驗(yan)收(shou)。由(you)陜西(xi)省科學技術廳會同省。

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2006年(nian)7月6日-西安理工大學電子(zi)工程系(xi)陳(chen)治明教授(shou)承擔的陜西省重大科技(ji)創新項目“大直徑碳化硅晶體生(sheng)長工藝及設(she)備”進展順利,目前(qian)已用(yong)該課題組自行研制、具(ju)有自主知(zhi)識產(chan)權。

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陜西重大科技創新項目“大直徑碳化硅晶體生長工藝及設備”通過驗收

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陜西省重大科技創新項目:我校“大直徑碳化硅晶體生長工藝及設備”

[摘要]一(yi)種制造單晶碳化(hua)硅薄膜(mo)的(de)設備,包括適(shi)于接受成(cheng)膜(mo)用的(de)SOI基材100的(de)成(cheng)膜(mo)利用本發(fa)明的(de)方法制備碳化(hua)硅納米(mi)棒,其工藝實施(shi)簡單、易(yi)于大(da)批(pi)量生產、制備溫度低。

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2011年6月14日-適合于采用“新料法(fa)”生(sheng)產(chan)工藝冶煉碳化(hua)(hua)(hua)硅。但是,太(tai)西煤灰(hui)分(fen)較高(gao),一般(ban)在57、選用低“鐵污染”破碎(sui)設備進行(xing)加(jia)工碳化(hua)(hua)(hua)硅作為產(chan)品銷售(shou)時,要對碳化(hua)(hua)(hua)硅。

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