SiC晶片的加工工程_百度知道
SiC單晶材料(liao)的(de)(de)硬度及(ji)脆性大,且化學穩定性好,故如何獲得高平面精度的(de)(de)無損(sun)傷(shang)晶片表(biao)面已成(cheng)為(wei)其(qi)廣泛(fan)應用所(suo)必須解決(jue)的(de)(de)重要問題。本(ben)論文采用定向切割(ge)晶片的(de)(de)方法(fa),分別研(yan)究(jiu)了。
SiC晶片加工工藝及其對晶片表面的損傷-中國論文下載_上學吧
摘要(yao):SiC單(dan)晶(jing)的材質(zhi)既(ji)硬且(qie)脆,加(jia)工(gong)(gong)難度很大(da)。本文介紹了加(jia)工(gong)(gong)SiC單(dan)晶(jing)的主要(yao)方法,闡述了其加(jia)工(gong)(gong)原理、主要(yao)工(gong)(gong)藝參數對加(jia)工(gong)(gong)精(jing)度及效率的影響,提出了加(jia)工(gong)(gong)SiC單(dan)晶(jing)片今后(hou)。
SiC單晶片加工技術的發展_百度文庫
SiC機械密封(feng)環(huan)表面微織構激光加(jia)工(gong)(gong)工(gong)(gong)藝符(fu)永宏(hong)祖權紀(ji)敬虎楊(yang)東燕符(fu)昊(hao)摘(zhai)要:采用(yong)聲光調Q二極(ji)管泵浦Nd:YAG激光器,利用(yong)"單(dan)脈沖同點間隔多次(ci)"激光加(jia)工(gong)(gong)工(gong)(gong)藝,。
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由于SiC硬度非常高(gao),對單晶(jing)(jing)后續的加工造成很多困難,包(bao)括切割和磨拋(pao).研究發現(xian)利用圖中顏色(se)較深的是摻氮條紋,晶(jing)(jing)體生長45h.從上述移動坩堝萬方數據812半導體。
SiC單晶片加工技術的發展-《新技術新工藝》2009年06期
摘要:SiC陶瓷以其(qi)優異的性能得(de)到廣泛的應用,但是其(qi)難(nan)以加(jia)(jia)工的缺點限制(zhi)了應用范圍。本文(wen)對磨削方法加(jia)(jia)工SiC陶瓷的工藝參(can)數進行了探討,其(qi)工藝參(can)數為組合(he):粒度w40#。
SiC機械密封環表面微織構激光加工工藝-《排灌機械工程學報》2012
2013年10月(yue)24日(ri)-LED半(ban)導體(ti)照(zhao)明網訊日(ri)本上市公(gong)司薩(sa)姆肯(ken)(Samco)發布了新型晶片盒(he)生產蝕刻系統,處理SiC加工(gong)(gong),型號為RIE-600iPC。系統主要應用(yong)在碳化硅功率儀器平面加工(gong)(gong)。
SiC單晶生長及其晶片加工技術的進展-豆丁網
2013年(nian)10月24日(ri)-日(ri)本上市(shi)公(gong)司(si)薩姆肯(Samco)發布(bu)了新型晶片(pian)盒生產蝕刻(ke)系(xi)統,處理SiC加(jia)工,型號為RIE-600iPC。系(xi)統主要應(ying)用在碳化硅功率儀器平面(mian)加(jia)工、SiCMOS結構槽(cao)刻(ke)。
SiC單晶生長及其晶片加工技術的進展-CrystalGrowthandRaw
金(jin)剛石線鋸(ju)SiC表面(mian)裂(lie)紋加工(gong)質量摘要:SiC是第三代半導體材料的(de)核(he)心(xin)之一,廣泛用于制(zhi)作電(dian)子器件,其加工(gong)質量和(he)精度(du)直接影響(xiang)到器件的(de)性(xing)能。SiC晶體硬度(du)高,。
SiC從外表顏色如何區分其SiC含量的高低-已解決-搜搜問問
采(cai)用(yong)(yong)聲光調(diao)Q二極管泵浦Nd:YAG激(ji)光器,利用(yong)(yong)“單脈沖(chong)同(tong)點間隔多次”激(ji)光加工工藝,對碳化硅機械密封試樣端面(mian)進(jin)行激(ji)光表面(mian)微織構的加工工藝試驗研究.采(cai)用(yong)(yong)Wyko-NTll00表面(mian)。
SiC陶瓷的磨削加工工藝研究—《教育科學博覽》—2011年第12期—
共(gong)找(zhao)到2754條(tiao)符合-SiC的查(cha)詢結果(guo)。您(nin)可以在阿(a)里巴(ba)巴(ba)公司黃頁搜(sou)索到關于-SiC生產(chan)商(shang)的工(gong)商(shang)注冊年份、員(yuan)工(gong)人數(shu)、年營業額、信用記錄、相關-SiC產(chan)品的供求信息、交易記錄。
日本薩姆肯公司推出新型SiC加工處理生產刻蝕系統
中(zhong)國供應商免(mian)費(fei)提供各類(lei)sic碳(tan)(tan)(tan)(tan)化(hua)(hua)硅批發,sic碳(tan)(tan)(tan)(tan)化(hua)(hua)硅價格,sic碳(tan)(tan)(tan)(tan)化(hua)(hua)硅廠家(jia)信(xin)息(xi),您也(ye)可以在(zai)這里(li)免(mian)費(fei)展(zhan)示銷售sic碳(tan)(tan)(tan)(tan)化(hua)(hua)硅,更有(you)機(ji)會(hui)通(tong)過各類(lei)行(xing)業展(zhan)會(hui)展(zhan)示給需求方(fang)!sic碳(tan)(tan)(tan)(tan)化(hua)(hua)硅商機(ji)盡在(zai)。
日本薩姆肯公司推出新型SiC加工處理生產刻蝕系統-企業新聞-首頁
金剛石多線切割設(she)備在SiC晶片加(jia)工中(zhong)的應(ying)用ApplicationofMuti-DiamondWireSawtoSliceSiCCrystal查看全(quan)文下載全(quan)文導出添加(jia)到引(yin)用通知分享到。
金剛石線鋸切割SiC的加工質量研究-《山東大學》2010年碩士論文
[圖文]2011年3月17日-SiC陶瓷與鎳基(ji)高溫(wen)合金的熱壓反應(ying)燒結連(lian)接段輝平李樹杰張永剛(gang)劉(liu)深(shen)張艷黨(dang)紫(zi)九(jiu)劉(liu)登科摘要:采用(yong)Ti-Ni-Al金屬復合焊(han)料(liao)粉末,利用(yong)Gleeble。
SiC機械密封環表面微織構激光加工工藝-維普網-倉儲式在線作品
PCD刀(dao)具(ju)加工SiC顆粒增強鋁基復合材料的公道切削(xue)速(su)度〔摘要〕通過用掃描(miao)電鏡(jing)等方式檢(jian)測PCD刀(dao)具(ju)的性能,并與(yu)自然(ran)金(jin)剛石的相(xiang)關參數(shu)進行比較,闡(chan)明(ming)了PCD刀(dao)具(ju)的優異性能。
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石(shi)墨SiC/Al復(fu)合(he)材(cai)料壓力(li)浸(jin)滲力(li)學性能加工(gong)性能關鍵(jian)詞:石(shi)墨SiC/Al復(fu)合(he)材(cai)料壓力(li)浸(jin)滲力(li)學性能加工(gong)性能分類(lei)號:TB331正(zheng)文(wen)快照:0前言siC/。
sic碳化硅批發_sic碳化硅價格_sic碳化硅廠家其他磨具-中國供應商
[圖文]2012年11月29日-為(wei)了研究磨(mo)削工藝(yi)參數對SiC材料磨(mo)削質(zhi)量(liang)的影(ying)響規律,利用DMG銑磨(mo)加工做了SiC陶瓷(ci)平面磨(mo)削工藝(yi)實驗,分(fen)析研究了包括(kuo)主軸(zhou)轉速、磨(mo)削深度、進(jin)給速度在(zai)內的。
金剛石多線切割設備在SiC晶片加工中的應用ApplicationofMuti-
研究方向:微(wei)(wei)納(na)設(she)計(ji)與(yu)加(jia)(jia)工技(ji)(ji)術(shu)、SiCMEMS技(ji)(ji)術(shu)、微(wei)(wei)能源技(ji)(ji)術(shu)微(wei)(wei)納(na)設(she)計(ji)與(yu)加(jia)(jia)工技(ji)(ji)術(shu)微(wei)(wei)納(na)米加(jia)(jia)工技(ji)(ji)術(shu):利(li)用(yong)深刻(ke)蝕加(jia)(jia)工技(ji)(ji)術(shu),開(kai)發出適合于大規模加(jia)(jia)工的高精度微(wei)(wei)納(na)復合結。
SiC機械密封環表面微織構激光加工工藝-大眾科技-道客巴巴
[圖文]SiC晶體生(sheng)長和(he)加工SiC是(shi)重要(yao)的(de)寬禁帶半導(dao)體,具有(you)高(gao)熱導(dao)率、高(gao)擊穿場強等特性(xing)和(he)優勢,是(shi)制作高(gao)溫、高(gao)頻、大功(gong)率、高(gao)壓以及(ji)抗輻(fu)射電(dian)子(zi)器(qi)件的(de)理想材(cai)料,在軍工、航天(tian)。
SiC是什么材料SiC是一種什么材料啊,他的加工性能怎樣樣?可以鉆孔
介(jie)簡單地(di)介(jie)紹了(le)(le)發(fa)光二極管的發(fa)展歷(li)程,概述了(le)(le)LED用(yong)SiC襯(chen)底的超精密研磨技術(shu)的現狀及發(fa)展趨(qu)勢,闡述了(le)(le)研磨技術(shu)的原理、應用(yong)和優(you)勢。同(tong)時結合實驗室X61930B2M-6型。
SiC陶瓷與鎳基高溫合金的熱壓反應燒結連接-加工工藝-機電之家網
2012年6月6日-磨(mo)料(liao)是(shi)用于磨(mo)削加工和制做磨(mo)具的(de)一種基(ji)礎材料(liao),普通磨(mo)料(liao)種類主要(yao)有剛玉和1891年美(mei)國卡不(bu)倫登公司的(de)E.G艾奇(qi)遜用電阻爐人工合成并發(fa)明(ming)SiC。1893年。
PCD刀具加工SiC顆粒增強鋁基復合材料的公道切削速度_中國百科網
攪拌摩(mo)擦加工SiC復(fu)合層對鎂合金(jin)摩(mo)擦磨損性(xing)(xing)能(neng)的影響分享到(dao):分享到(dao)QQ空間收藏推薦鎂合金(jin)是目前輕的金(jin)屬結構材(cai)料(liao),具有密度低(di)、比(bi)強(qiang)度和比(bi)剛度高、阻(zu)尼(ni)減震(zhen)性(xing)(xing)。
易加工儀表級SiC/Al復合材料的性能研究-《第十五屆全國復合材料
綜述了半(ban)導體材料SiC拋光技(ji)術(shu)的(de)發展,介紹了SiC單晶(jing)片CMP技(ji)術(shu)的(de)研究現狀,分析了CMP的(de)原理和工藝參數對拋光的(de)影響,指出(chu)了SiC單晶(jing)片CMP急待解(jie)決的(de)技(ji)術(shu)和理論問題,并對其。
SiC陶瓷非球面磨削工藝實驗研究-中國磨料磨具網|磨料磨具協會
2005年(nian)在(zai)國內率先完成1.3m深焦比(bi)輕質非(fei)球面反射鏡的(de)研(yan)究工作,減重(zhong)比(bi)達到65%,加工精度優(you)于17nmRMS;2007年(nian)研(yan)制成功1.1m傳輸(shu)型詳查相機SiC材料離軸非(fei)球面主(zhu)鏡,加工。
北京大學微電子學研究院
2013年2月21日(ri)-近(jin)日(ri),三菱電(dian)(dian)機宣布,開發出了能夠一(yi)(yi)次將一(yi)(yi)塊多晶碳化硅(gui)(SiC)錠切割成(cheng)40片SiC晶片的(de)多點放電(dian)(dian)線切割技(ji)術。據悉,該技(ji)術有望提(ti)高SiC晶片加工的(de)生(sheng)產(chan)效率(lv),。
SiC晶體生長和加工
加(jia)工(gong)圓(yuan)孔(kong)(kong)孔(kong)(kong)徑(jing)范圍:200微米(mi)—1500微米(mi);孔(kong)(kong)徑(jing)精度:≤2%孔(kong)(kong)徑(jing);深寬(kuan)/孔(kong)(kong)徑(jing)比:≥20:1(3)飛(fei)秒激光數控機床的微孔(kong)(kong)加(jia)工(gong)工(gong)藝:解決戰略型CMC-SiC耐高(gao)溫材料微孔(kong)(kong)(直徑(jing)1mm。
LED用SiC襯底的超精密研磨技術現狀與發展趨勢Situationand
衛(wei)輝市車船機(ji)電(dian)有(you)限公(gong)(gong)司(si)(si)csic衛(wei)輝市車船機(ji)電(dian)有(you)限公(gong)(gong)司(si)(si)是(shi)中國船舶重工集團公(gong)(gong)司(si)(si)聯營是(shi)否提供加工/定制服務:是(shi)公(gong)(gong)司(si)(si)成立(li)時間:1998年(nian)公(gong)(gong)司(si)(si)注(zhu)冊地:河南/。
關于磨料用途與深加工方面的分析和探討-磨料用途,棕剛玉,碳化硅-
[圖文]激(ji)光(guang)(guang)加工激(ji)光(guang)(guang)熔(rong)(rong)覆陶(tao)瓷涂(tu)層耐(nai)腐蝕性(xing)極化曲(qu)線(xian)關鍵字:激(ji)光(guang)(guang)加工激(ji)光(guang)(guang)熔(rong)(rong)覆陶(tao)瓷涂(tu)層耐(nai)腐蝕性(xing)極化曲(qu)線(xian)采用(yong)激(ji)光(guang)(guang)熔(rong)(rong)覆技術(shu),在45鋼(gang)表面(mian)對含量不同(tong)的SiC(質量。
攪拌摩擦加工SiC復合層對鎂合金摩擦磨損性能的影響-《熱加工工藝
●自行研(yan)發了SiC晶(jing)片加(jia)工(gong)工(gong)藝(yi):選取適當(dang)種類、粒度、級配的磨(mo)(mo)料和加(jia)工(gong)設備來切割、研(yan)磨(mo)(mo)、拋光、清(qing)洗和封裝的工(gong)藝(yi),使產品達到了“即開即用”的水準。圖(tu)7:SiC晶(jing)片。
SiC單晶片CMP超精密加工技術現狀與趨勢Situationand
離軸非球(qiu)(qiu)面SiC反射鏡(jing)的(de)精密銑磨(mo)加工(gong)技(ji)術(shu),張志宇;李(li)銳鋼(gang);鄭(zheng)立(li)功;張學軍;-機械工(gong)程學報(bao)2013年第(di)17期(qi)在(zai)線(xian)閱讀、文章(zhang)下載。<正;0前(qian)言1環繞(rao)地球(qiu)(qiu)軌道運(yun)行的(de)空間。
高精度非球面組件先進制造技術--中國科學院光學系統先進制造
2011年(nian)10月25日-加(jia)工(gong)(gong)(gong)電(dian)流(liu)非常小,Ie=1A,加(jia)工(gong)(gong)(gong)電(dian)壓為170V時,SiC是加(jia)工(gong)(gong)(gong)的,當(dang)Ti=500μs時,Vw=0.6mm3/min。另外,Iwanek還(huan)得出了“臨界(jie)電(dian)火花(hua)加(jia)工(gong)(gong)(gong)限制(zhi)”。
三菱電機研制出多點放電線切割機-中國工業電器網
經營范圍:陶(tao)(tao)瓷軸(zhou)承;陶(tao)(tao)瓷噴嘴(zui);sic密(mi)封件;陶(tao)(tao)瓷球;sic軸(zhou)套;陶(tao)(tao)瓷生產(chan)加(jia)工(gong)機(ji)械;軸(zhou)承;機(ji)械零部件加(jia)工(gong);密(mi)封件;陶(tao)(tao)瓷加(jia)工(gong);噴嘴(zui);噴頭;行業類別(bie):計算機(ji)產(chan)品(pin)。
“數控機床與基礎制造裝備”科技重大專項2013年度課題申報
因此,本文對IAD-Si膜層的(de)微觀結構、表面形貌及抗熱振蕩性(xing)能進行了(le)研究,這(zhe)不僅對IAD-Si表面加工具有指(zhi)導意義(yi),也能進一步證明(ming)RB-SiC反射鏡表面IAD-Si改性(xing)技(ji)術的(de)。