SiC晶片的加工工程_百度知道
SiC單晶材料的(de)硬度及脆(cui)性(xing)大,且化學穩定(ding)性(xing)好,故如何獲(huo)得高平面精度的(de)無損傷晶片(pian)表(biao)面已(yi)成為其(qi)廣泛應用所必須解決的(de)重要問題(ti)。本(ben)論文(wen)采用定(ding)向切割晶片(pian)的(de)方法,分別研究了(le)。
SiC晶片加工工藝及其對晶片表面的損傷-中國論文下載_上學吧
摘要(yao):SiC單晶的(de)材質既(ji)硬(ying)且脆,加工(gong)(gong)(gong)難(nan)度很大。本文介紹(shao)了加工(gong)(gong)(gong)SiC單晶的(de)主(zhu)要(yao)方法,闡述了其(qi)加工(gong)(gong)(gong)原理、主(zhu)要(yao)工(gong)(gong)(gong)藝參數對加工(gong)(gong)(gong)精度及效率(lv)的(de)影響,提(ti)出了加工(gong)(gong)(gong)SiC單晶片今后。
SiC單晶片加工技術的發展_百度文庫
SiC機械密(mi)封環表面微織構激光加工工藝(yi)符永宏祖權紀敬虎楊(yang)東燕符昊摘(zhai)要:采用(yong)聲光調Q二(er)極管(guan)泵浦(pu)Nd:YAG激光器,利(li)用(yong)"單脈沖同點間(jian)隔多(duo)次(ci)"激光加工工藝(yi),。
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由于SiC硬度非(fei)常高,對單晶(jing)后續的加(jia)工(gong)造成很多困難,包括切割(ge)和(he)磨拋.研究發現(xian)利用圖中(zhong)顏(yan)色較(jiao)深的是摻(chan)氮條紋,晶(jing)體(ti)生(sheng)長45h.從(cong)上(shang)述移動坩堝萬方數據(ju)812半導(dao)體(ti)。
SiC單晶片加工技術的發展-《新技術新工藝》2009年06期
摘要:SiC陶瓷以其(qi)優異(yi)的性(xing)能(neng)得到廣泛的應(ying)用,但是(shi)其(qi)難以加工(gong)的缺點(dian)限制了應(ying)用范(fan)圍(wei)。本文對磨(mo)削(xue)方法加工(gong)SiC陶瓷的工(gong)藝參(can)數進行了探討,其(qi)工(gong)藝參(can)數為組合:粒度w40#。
SiC機械密封環表面微織構激光加工工藝-《排灌機械工程學報》2012
2013年10月24日-LED半(ban)導體照明網訊日本上市公司薩姆肯(Samco)發(fa)布了新型(xing)晶片盒生產(chan)蝕刻(ke)系(xi)統(tong),處理SiC加(jia)工,型(xing)號為(wei)RIE-600iPC。系(xi)統(tong)主(zhu)要應用在碳化硅功率儀器平面加(jia)工。
SiC單晶生長及其晶片加工技術的進展-豆丁網
2013年10月24日(ri)-日(ri)本(ben)上(shang)市公司薩(sa)姆肯(Samco)發布了新型晶片盒生產蝕(shi)刻(ke)系(xi)統,處理SiC加工,型號為RIE-600iPC。系(xi)統主要應用在(zai)碳化硅(gui)功率儀(yi)器平面加工、SiCMOS結構槽(cao)刻(ke)。
SiC單晶生長及其晶片加工技術的進展-CrystalGrowthandRaw
金剛石線鋸SiC表面裂紋(wen)加(jia)工(gong)(gong)質(zhi)量摘要:SiC是第三代半導體材料的(de)核心之一,廣泛用于制作電子器件(jian),其加(jia)工(gong)(gong)質(zhi)量和(he)精(jing)度直接影響(xiang)到器件(jian)的(de)性能。SiC晶體硬(ying)度高(gao),。
SiC從外表顏色如何區分其SiC含量的高低-已解決-搜搜問問
采用聲光(guang)調Q二極管泵浦Nd:YAG激(ji)光(guang)器,利用“單脈沖同點間隔多(duo)次(ci)”激(ji)光(guang)加工(gong)工(gong)藝,對(dui)碳化硅機械密封試樣端面進行(xing)激(ji)光(guang)表面微織構的加工(gong)工(gong)藝試驗研究.采用Wyko-NTll00表面。
SiC陶瓷的磨削加工工藝研究—《教育科學博覽》—2011年第12期—
共找到(dao)2754條符合(he)-SiC的(de)(de)查詢結(jie)果。您可(ke)以(yi)在阿里(li)巴巴公司黃頁(ye)搜索到(dao)關于-SiC生產商(shang)的(de)(de)工商(shang)注(zhu)冊(ce)年(nian)份、員工人數、年(nian)營業額、信用記錄、相關-SiC產品(pin)的(de)(de)供求信息、交易記錄。
日本薩姆肯公司推出新型SiC加工處理生產刻蝕系統
中國供應商(shang)免費(fei)提供各類(lei)sic碳化(hua)硅(gui)批發,sic碳化(hua)硅(gui)價格,sic碳化(hua)硅(gui)廠家信息,您也(ye)可(ke)以在(zai)這里免費(fei)展示銷售sic碳化(hua)硅(gui),更有機會通過各類(lei)行業(ye)展會展示給(gei)需(xu)求方!sic碳化(hua)硅(gui)商(shang)機盡(jin)在(zai)。
日本薩姆肯公司推出新型SiC加工處理生產刻蝕系統-企業新聞-首頁
金剛石多線切割(ge)設備在SiC晶片(pian)加工中的應用(yong)ApplicationofMuti-DiamondWireSawtoSliceSiCCrystal查看全(quan)文下(xia)載(zai)全(quan)文導出添加到引用(yong)通知分享到。
金剛石線鋸切割SiC的加工質量研究-《山東大學》2010年碩士論文
[圖(tu)文(wen)]2011年3月17日-SiC陶瓷與(yu)鎳基高溫合金(jin)(jin)的熱壓反應燒結連(lian)接(jie)段輝平李樹杰張永剛劉(liu)(liu)深張艷黨(dang)紫九(jiu)劉(liu)(liu)登科摘要:采用(yong)(yong)Ti-Ni-Al金(jin)(jin)屬復合焊(han)料(liao)粉末(mo),利用(yong)(yong)Gleeble。
SiC機械密封環表面微織構激光加工工藝-維普網-倉儲式在線作品
PCD刀(dao)具加(jia)工SiC顆粒增強鋁基復合(he)材料的(de)(de)公(gong)道切削速(su)度〔摘要〕通過用(yong)掃描電鏡等方式檢測PCD刀(dao)具的(de)(de)性能,并(bing)與自(zi)然金剛石(shi)的(de)(de)相關參數進(jin)行比較,闡(chan)明了(le)PCD刀(dao)具的(de)(de)優(you)異性能。
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石墨SiC/Al復合材(cai)料壓力(li)浸滲力(li)學(xue)性(xing)能加(jia)工性(xing)能關鍵詞:石墨SiC/Al復合材(cai)料壓力(li)浸滲力(li)學(xue)性(xing)能加(jia)工性(xing)能分類號:TB331正文(wen)快照:0前言siC/。
sic碳化硅批發_sic碳化硅價格_sic碳化硅廠家其他磨具-中國供應商
[圖文]2012年11月29日-為(wei)了研究磨(mo)削工(gong)藝(yi)參數(shu)對SiC材料磨(mo)削質(zhi)量的影(ying)響規律,利(li)用DMG銑磨(mo)加工(gong)做了SiC陶瓷(ci)平面磨(mo)削工(gong)藝(yi)實(shi)驗,分析研究了包括主軸轉速、磨(mo)削深度、進給速度在內的。
金剛石多線切割設備在SiC晶片加工中的應用ApplicationofMuti-
研究方向:微納設(she)計(ji)與(yu)加(jia)工(gong)技(ji)術(shu)、SiCMEMS技(ji)術(shu)、微能(neng)源技(ji)術(shu)微納設(she)計(ji)與(yu)加(jia)工(gong)技(ji)術(shu)微納米加(jia)工(gong)技(ji)術(shu):利用深刻蝕加(jia)工(gong)技(ji)術(shu),開發出適合(he)于大規模加(jia)工(gong)的高精度微納復(fu)合(he)結(jie)。
SiC機械密封環表面微織構激光加工工藝-大眾科技-道客巴巴
[圖文]SiC晶體生長和加工(gong)SiC是(shi)重要的寬禁帶半導體,具有高熱導率、高擊穿(chuan)場強等特(te)性和優(you)勢,是(shi)制作高溫、高頻(pin)、大功率、高壓以及(ji)抗輻射電子器件的理想材料,在(zai)軍工(gong)、航天。
SiC是什么材料SiC是一種什么材料啊,他的加工性能怎樣樣?可以鉆孔
介(jie)簡單(dan)地介(jie)紹(shao)了發(fa)光二(er)極管的(de)發(fa)展歷程(cheng),概述了LED用SiC襯底(di)的(de)超精密研磨(mo)技(ji)術的(de)現狀及發(fa)展趨勢,闡(chan)述了研磨(mo)技(ji)術的(de)原理(li)、應用和優勢。同時結合實(shi)驗室X61930B2M-6型(xing)。
SiC陶瓷與鎳基高溫合金的熱壓反應燒結連接-加工工藝-機電之家網
2012年6月6日-磨料(liao)是(shi)用于磨削加(jia)工(gong)和(he)制做磨具(ju)的一種(zhong)基礎材(cai)料(liao),普(pu)通(tong)磨料(liao)種(zhong)類主要有剛玉和(he)1891年美國卡不倫登公司(si)的E.G艾奇遜用電阻爐人工(gong)合成并發明(ming)SiC。1893年。
PCD刀具加工SiC顆粒增強鋁基復合材料的公道切削速度_中國百科網
攪(jiao)拌摩擦加工SiC復(fu)合(he)層對鎂合(he)金摩擦磨(mo)損性能(neng)的影響分享(xiang)到(dao):分享(xiang)到(dao)QQ空間收藏推薦鎂合(he)金是目前輕的金屬(shu)結構材料(liao),具(ju)有密度低、比強度和比剛度高、阻尼減(jian)震性。
易加工儀表級SiC/Al復合材料的性能研究-《第十五屆全國復合材料
綜述(shu)了半導體(ti)材(cai)料SiC拋(pao)光技術的發展(zhan),介紹了SiC單晶片(pian)(pian)CMP技術的研究(jiu)現(xian)狀,分析了CMP的原(yuan)理和(he)工藝參數對拋(pao)光的影響,指(zhi)出(chu)了SiC單晶片(pian)(pian)CMP急待(dai)解決(jue)的技術和(he)理論問題,并(bing)對其。
SiC陶瓷非球面磨削工藝實驗研究-中國磨料磨具網|磨料磨具協會
2005年在國內率先(xian)完成1.3m深焦比輕質非球(qiu)面反射鏡的(de)研(yan)究工作,減重比達(da)到65%,加(jia)工精度優于17nmRMS;2007年研(yan)制成功(gong)1.1m傳輸型詳查相(xiang)機(ji)SiC材料離(li)軸非球(qiu)面主鏡,加(jia)工。
北京大學微電子學研究院
2013年(nian)2月(yue)21日-近日,三菱電(dian)機宣(xuan)布,開發出了(le)能夠一次將一塊多(duo)晶碳化硅(SiC)錠切(qie)割成40片(pian)(pian)(pian)SiC晶片(pian)(pian)(pian)的多(duo)點放(fang)電(dian)線切(qie)割技(ji)術。據(ju)悉,該技(ji)術有望提高(gao)SiC晶片(pian)(pian)(pian)加工的生(sheng)產效(xiao)率,。
SiC晶體生長和加工
加(jia)工圓(yuan)孔孔徑(jing)范圍:200微米(mi)—1500微米(mi);孔徑(jing)精(jing)度:≤2%孔徑(jing);深(shen)寬(kuan)/孔徑(jing)比:≥20:1(3)飛秒(miao)激光數控機(ji)床(chuang)的(de)微孔加(jia)工工藝:解決戰略型CMC-SiC耐高溫材料(liao)微孔(直徑(jing)1mm。
LED用SiC襯底的超精密研磨技術現狀與發展趨勢Situationand
衛輝(hui)市(shi)車(che)船(chuan)機(ji)電有限(xian)公(gong)(gong)(gong)司csic衛輝(hui)市(shi)車(che)船(chuan)機(ji)電有限(xian)公(gong)(gong)(gong)司是中國船(chuan)舶重工集團公(gong)(gong)(gong)司聯營是否提供加工/定(ding)制服務:是公(gong)(gong)(gong)司成立時間:1998年公(gong)(gong)(gong)司注冊地:河南/。
關于磨料用途與深加工方面的分析和探討-磨料用途,棕剛玉,碳化硅-
[圖文(wen)]激(ji)光(guang)(guang)加工(gong)激(ji)光(guang)(guang)熔覆陶瓷涂(tu)層耐腐蝕(shi)(shi)性(xing)極化(hua)曲(qu)線(xian)關鍵字:激(ji)光(guang)(guang)加工(gong)激(ji)光(guang)(guang)熔覆陶瓷涂(tu)層耐腐蝕(shi)(shi)性(xing)極化(hua)曲(qu)線(xian)采(cai)用激(ji)光(guang)(guang)熔覆技術,在45鋼表面(mian)對含(han)量不同(tong)的SiC(質量。
攪拌摩擦加工SiC復合層對鎂合金摩擦磨損性能的影響-《熱加工工藝
●自行研發了(le)SiC晶片加(jia)工(gong)工(gong)藝(yi):選取適當種類(lei)、粒度、級配的磨料和加(jia)工(gong)設備來切割、研磨、拋光、清洗和封裝的工(gong)藝(yi),使產品(pin)達到了(le)“即開(kai)即用”的水(shui)準(zhun)。圖7:SiC晶片。
SiC單晶片CMP超精密加工技術現狀與趨勢Situationand
離軸非球面(mian)SiC反射鏡的(de)精密銑磨加(jia)工技術,張(zhang)志宇;李(li)銳鋼(gang);鄭立功;張(zhang)學(xue)軍;-機械(xie)工程(cheng)學(xue)報2013年第17期(qi)在(zai)線(xian)閱(yue)讀、文章下載。<正;0前言1環繞地球軌道運行的(de)空間。
高精度非球面組件先進制造技術--中國科學院光學系統先進制造
2011年10月25日-加工電(dian)(dian)流非常小(xiao),Ie=1A,加工電(dian)(dian)壓為(wei)170V時,SiC是加工的,當Ti=500μs時,Vw=0.6mm3/min。另外(wai),Iwanek還得出(chu)了“臨界電(dian)(dian)火花加工限制”。
三菱電機研制出多點放電線切割機-中國工業電器網
經(jing)營范(fan)圍:陶(tao)(tao)(tao)瓷軸承;陶(tao)(tao)(tao)瓷噴嘴(zui);sic密(mi)(mi)封(feng)件(jian);陶(tao)(tao)(tao)瓷球;sic軸套;陶(tao)(tao)(tao)瓷生產(chan)加工機械;軸承;機械零部件(jian)加工;密(mi)(mi)封(feng)件(jian);陶(tao)(tao)(tao)瓷加工;噴嘴(zui);噴頭;行(xing)業類別:計(ji)算機產(chan)品。
“數控機床與基礎制造裝備”科技重大專項2013年度課題申報
因(yin)此,本文對IAD-Si膜層的微(wei)觀結構、表(biao)面(mian)(mian)形貌(mao)及抗熱振蕩性能(neng)進行(xing)了研究(jiu),這不僅對IAD-Si表(biao)面(mian)(mian)加工具(ju)有指導(dao)意義,也(ye)能(neng)進一(yi)步證明RB-SiC反射鏡表(biao)面(mian)(mian)IAD-Si改性技術的。