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電子封裝用AlN燒結工藝及機理-《南昌大學》2011年碩士論文

氮化鋁(lv)陶瓷常壓燒結(jie)致密化抗(kang)水性自(zi)擴(kuo)散系數小,通常需(xu)要(yao)熱壓燒結(jie)才能制備(bei)出高致密的氮化鋁(lv)陶瓷2.2實(shi)(shi)驗(yan)儀器設備(bei)和原料31-322.3實(shi)(shi)驗(yan)方法(fa)32-332.3。

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氮化(hua)鋁陶瓷(ci)導熱(re)性能(neng)良好,是(shi)集成(cheng)電路基(ji)板和電子封裝(zhuang)的(de)理想材料。但氮化(hua)鋁為強共價(jia)鍵結(jie)合物,熔點(dian)高,自擴散(san)系數小,通常需要熱(re)壓(ya)燒(shao)結(jie)才能(neng)制(zhi)備出高致密(mi)的(de)氮化(hua)鋁陶瓷(ci)。并(bing)且。

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氮(dan)化(hua)鋁(AlN)燒結爐(lu)溫度均(jun)勻(yun)性批量生(sheng)產《電子工(gong)業專用設備》2010年06期加(jia)入收(shou)藏投稿(gao)氮(dan)化(hua)鋁尤(you)其是在氮(dan)化(hua)鋁陶瓷(ci)批量生(sheng)產過程中,陶瓷(ci)燒結爐(lu)的(de)溫度不均(jun)勻(yun)。

電子封裝用AlN燒結工藝及機理

但近幾年(nian)國(guo)(guo)際上很多國(guo)(guo)家(jia)在(zai)重(zhong)視AlN基片材料研發工作的(de)(de)同時,對氮化鋁(lv)陶瓷(ci)燒(shao)結爐的(de)(de)制備也越來越重(zhong)視,由此孕(yun)育出一些專業的(de)(de)氮化鋁(lv)陶瓷(ci)燒(shao)結設備制造商,尤其是美國(guo)(guo)和(he)日本。

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本文(wen)通過(guo)使(shi)用Y2O3、Li2CO3、Dy2O3、CaF2、CaO作為(wei)添加劑,研究不同添加劑對(dui)注射(she)成型低溫燒結AlN提高致密度和熱導率的(de)作用。實驗結果表明,使(shi)用Li2CO3,CaF2和Y2O3。

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采(cai)用微(wei)波高溫燒(shao)結工藝,制備(bei)了致密的(de)AlN陶(tao)瓷(ci),并初步探討(tao)了微(wei)波燒(shao)成環(huan)境對燒(shao)結體燒(shao)結陶(tao)瓷(ci)加工陶(tao)瓷(ci)相陶(tao)瓷(ci)量(liang)塊陶(tao)瓷(ci)英語陶(tao)瓷(ci)機械陶(tao)瓷(ci)件陶(tao)瓷(ci)帽(mao)陶(tao)瓷(ci)設(she)備(bei)。

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微(wei)波(bo)燒(shao)(shao)(shao)結(jie)設備主要應(ying)用于燒(shao)(shao)(shao)結(jie)各(ge)種高品(pin)質的陶(tao)瓷、氮化(hua)(hua)硅(gui)、碳化(hua)(hua)硅(gui)、氧(yang)化(hua)(hua)鋁(lv)、氮化(hua)(hua)鋁(lv)、氧(yang)化(hua)(hua)鋯(gao)等(deng);燒(shao)(shao)(shao)結(jie)電(dian)子陶(tao)瓷器件(jian):PZT壓電(dian)陶(tao)瓷、壓敏電(dian)阻等(deng)。所(suo)謂微(wei)波(bo)燒(shao)(shao)(shao)結(jie)或微(wei)波(bo)燃燒(shao)(shao)(shao)合成(cheng)。

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供應:燒結氮化鋁(工藝技術資(zi)料(liao)配(pei)方圖紙(zhi)參數)光盤當前(qian)價(jia)格:200.00元1-BG52096含(han)碳的氮化鋁燒結體(ti)以及(ji)用于半導體(ti)制造檢測設備的陶瓷(ci)基材(cai)2-BG。

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一種氮化(hua)鋁陶(tao)瓷的(de)低溫燒結(jie),包括氮化(hua)鋁起始粉料選(xuan)(xuan)擇,添加物的(de)選(xuan)(xuan)擇以及燒結(jie)工藝參數的(de)選(xuan)(xuan)擇。其(qi)特征在于(yu):(1)以碳(tan)熱還原法及高溫自蔓延合成(cheng)法制備的(de)AlN粉體為起始。

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微波(bo)燒結設備紙箱刀具(ju)(ju)綠碳化(hua)(hua)(hua)硅(gui)砂(sha)倒角刀具(ju)(ju)優質刀具(ju)(ju)泰珂(ke)洛刀具(ju)(ju)導熱/導熱粉(fen)/氮化(hua)(hua)(hua)鋁/氮化(hua)(hua)(hua)鋁粉(fen)導熱/導熱粉(fen)/氮化(hua)(hua)(hua)鋁/氮化(hua)(hua)(hua)鋁粉(fen)填充/填充劑(ji)/。

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本(ben)發明目的(de)(de)是提供一(yi)種能(neng)(neng)保持10#+〔8〕Ω.cm或(huo)更大的(de)(de)體積電阻率的(de)(de)氮(dan)化鋁燒結體,能(neng)(neng)保證覆蓋能(neng)(neng)力,大的(de)(de)輻射熱(re)量和用溫度顯(xian)示(shi)器(qi)測定時(shi)的(de)(de)準確度。本(ben)發明的(de)(de)含碳氮(dan)化。

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一種(zhong)氮(dan)化鋁燒結體,其特征(zheng)在(zai)于包含1-10%(重量)從周期表Ⅲa族元素、Ca、Sr、Ba中(zhong)選擇的少(shao)。

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華順系(xi)列陶瓷(ci)覆銅板(氮(dan)化鋁、氧(yang)化鋁、氮(dan)化硅)燒(shao)結爐(lu)廣泛(fan)應用於陶瓷(ci)覆銅板(DBC0在保護氣氛中(zhong)的(de)(de)鍵(jian)合、熱(re)處理等(deng)工序。設(she)備(bei)針對陶瓷(ci)復合的(de)(de)特殊(shu)工藝特點設(she)計了(le)專有的(de)(de)。

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[圖(tu)文]3.2.5高(gao)壓設備的高(gao)精度控制系統3.2.6腔體(ti)介質材料的選擇(ze)3.2.7加熱(re)源(yuan)石墨3.3高(gao)壓燒(shao)結(jie)腔體(ti)設計3.4高(gao)壓燒(shao)結(jie)AlN陶瓷制備工藝流(liu)程3.4.1高(gao)壓燒(shao)結(jie)AlN。

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論文天下提供的(de)<AlN粉末的(de)制(zhi)備、低溫(wen)(wen)燒結(jie)及其(qi)注射成形技術的(de)研(yan)究;論文包括氮(dan)化鋁(lv)陶瓷材料注射成形低溫(wen)(wen)燒結(jie)復合陶瓷制(zhi)備低溫(wen)(wen)燒結(jie)注射等其(qi)他相關內容論文。

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本發明提(ti)供(gong)一種高(gao)純(chun)度氮化(hua)(hua)鋁燒(shao)結體,其在氮化(hua)(hua)鋁燒(shao)結體制造(zao)時(shi),有(you)效地除去原料(liao)粉(fen)(fen)末(mo)中(zhong)(zhong)所(suo)含(han)的氧化(hua)(hua)物,且通過原料(liao)粉(fen)(fen)末(mo)中(zhong)(zhong)所(suo)含(han)的氧化(hua)(hua)物與燒(shao)結助劑反應來防止(zhi)生成(cheng)的復合氧化(hua)(hua)。

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3.2.5高(gao)壓(ya)設(she)備的高(gao)精度(du)控(kong)制系統3.2.6腔體介質材料的選(xuan)擇(ze)3.2.7加熱源(yuan)石墨(mo)3.3高(gao)壓(ya)燒結腔體設(she)計3.4高(gao)壓(ya)燒結AlN陶瓷制備工藝流(liu)程3.4.1高(gao)壓(ya)燒結AlN。

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熱壓燒(shao)結AlN陶(tao)瓷,以自蔓延高溫合(he)成(SHS)的(de)AlN粉體為(wei)原料,以Y2O3-B2O3-CaF2和(he)YF3-B-CaF2系(xi)為(wei)燒(shao)結助劑,采用熱壓燒(shao)結工藝制備AlN陶(tao)瓷。結果表明,采用燒(shao)結助劑,在(zai)。

AlN粉末的制備低溫燒結及其注射成形技術的研究-收費碩士博士

本論(lun)文探(tan)索了AlN陶(tao)瓷(ci)(ci)的(de)燒(shao)結技術(shu),利用本實驗室原位合(he)成技術(shu)合(he)成的(de)AlN粉末制備(bei)出了高致密,高導(dao)熱的(de)AlN陶(tao)瓷(ci)(ci)。研究(jiu)了AlN陶(tao)瓷(ci)(ci)的(de)常壓(ya)燒(shao)結技術(shu)。通過熱力學條(tiao)件和相圖的(de)。

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41、含碳(tan)的氮(dan)化鋁(lv)燒(shao)結體以及用于半(ban)導體制造檢測設備的陶(tao)瓷(ci)基材收錄氮(dan)化鋁(lv)陶(tao)瓷(ci)相(xiang)關期刊文(wen)獻151項1、海門建成氮(dan)化硅陶(tao)瓷(ci)基地2、高壓氮(dan)氣(qi)中自蔓延(yan)燃(ran)燒(shao)合成氮(dan)化鋁(lv)。

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抗折(zhe)強(qiang)度高,可以常壓在1600°C燒結(jie),是一(yi)種(zhong)高功率集成電路基(ji)片(pian)(pian)的未(wei)來(lai)使(shi)用材(cai)料晉盈(ying)科(ke)技發展有限公司樂意提供(gong)氮化(hua)鋁AlN整(zheng)線設備(bei),研(yan)發生產光傳(chuan)輸特性優良(liang)的基(ji)片(pian)(pian)。

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32CN00809591.4半導(dao)體加(jia)工設(she)備(bei)的防腐組(zu)件及其(qi)制造(zao)方(fang)法(fa)(fa)33CN02106821.6用于半導(dao)體和(he)功率模件的絕緣襯底板(ban)34CN02115663.8放電等離子(zi)燒結法(fa)(fa)制備(bei)氮化鋁透明陶瓷35。

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