電子封裝用AlN燒結工藝及機理-《南昌大學》2011年碩士論文
氮化鋁(lv)陶瓷(ci)常壓(ya)燒(shao)結致密化抗水(shui)性(xing)自擴散(san)系數小(xiao),通常需要熱壓(ya)燒(shao)結才能制備出高致密的氮化鋁(lv)陶瓷(ci)2.2實(shi)驗儀(yi)器設備和原料(liao)31-322.3實(shi)驗方法32-332.3。
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氮化鋁陶(tao)瓷導熱性能(neng)良好,是集成(cheng)電(dian)路基板和(he)電(dian)子封裝的理想(xiang)材料。但氮化鋁為強共價鍵(jian)結(jie)合物,熔點高(gao),自擴散系數(shu)小,通常需要(yao)熱壓燒(shao)結(jie)才能(neng)制備出(chu)高(gao)致密的氮化鋁陶(tao)瓷。并且。
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氮化(hua)鋁(AlN)燒(shao)結爐(lu)(lu)溫度均(jun)(jun)勻(yun)性批(pi)量生產《電(dian)子工業專用設備》2010年(nian)06期加入(ru)收藏(zang)投稿氮化(hua)鋁尤其是在氮化(hua)鋁陶瓷(ci)批(pi)量生產過(guo)程中,陶瓷(ci)燒(shao)結爐(lu)(lu)的溫度不均(jun)(jun)勻(yun)。
電子封裝用AlN燒結工藝及機理
但近幾年國(guo)際上(shang)很多國(guo)家在重視AlN基片材料研發(fa)工(gong)作(zuo)的同(tong)時,對氮(dan)化鋁陶瓷燒(shao)結爐的制備也越來越重視,由此孕育出一些專業(ye)的氮(dan)化鋁陶瓷燒(shao)結設備制造商,尤其(qi)是美國(guo)和日本。
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本文通過使用Y2O3、Li2CO3、Dy2O3、CaF2、CaO作為添加(jia)劑(ji),研(yan)究不同(tong)添加(jia)劑(ji)對注射成(cheng)型低溫燒(shao)結AlN提高致密度和(he)熱導率的作用。實(shi)驗結果表明,使用Li2CO3,CaF2和(he)Y2O3。
氮化鋁無壓燒結-陳衍春-豆丁網
采(cai)用微(wei)波高溫燒(shao)結(jie)工藝(yi),制備(bei)了致密的AlN陶(tao)(tao)瓷(ci)(ci),并初步(bu)探討了微(wei)波燒(shao)成環境(jing)對燒(shao)結(jie)體(ti)燒(shao)結(jie)陶(tao)(tao)瓷(ci)(ci)加(jia)工陶(tao)(tao)瓷(ci)(ci)相(xiang)陶(tao)(tao)瓷(ci)(ci)量塊陶(tao)(tao)瓷(ci)(ci)英語陶(tao)(tao)瓷(ci)(ci)機(ji)械陶(tao)(tao)瓷(ci)(ci)件陶(tao)(tao)瓷(ci)(ci)帽陶(tao)(tao)瓷(ci)(ci)設(she)備(bei)。
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氮化鋁燒(shao)結級AlN-010-A1S產品(pin)AlN-010-A1S氮化鋁粉體經過成(cheng)型燒(shao)結程序制成(cheng):用於射頻IC、高功率IC、LED晶片載板(ban),高導熱(re)電子(zi)基(ji)板(ban),LED路(lu)燈熱(re)電燈板(ban),高導熱(re)共燒(shao)陶瓷。
AlN陶瓷-學術百科-知網空間
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微(wei)波燒結(jie)設(she)備主要應(ying)用于燒結(jie)各種高品質的(de)陶瓷、氮(dan)化(hua)硅(gui)、碳化(hua)硅(gui)、氧(yang)化(hua)鋁、氮(dan)化(hua)鋁、氧(yang)化(hua)鋯(gao)等;燒結(jie)電子陶瓷器件:PZT壓電陶瓷、壓敏電阻等。所謂微(wei)波燒結(jie)或微(wei)波燃燒合成。
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供應:燒(shao)結氮化(hua)(hua)鋁(lv)(lv)(工藝技術資(zi)料配方圖紙(zhi)參數)光盤(pan)當前(qian)價格:200.00元1-BG52096含(han)碳(tan)的(de)氮化(hua)(hua)鋁(lv)(lv)燒(shao)結體以及用于半導體制造檢(jian)測設備的(de)陶(tao)瓷(ci)基(ji)材(cai)2-BG。
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一種氮(dan)化鋁(lv)陶瓷的(de)低(di)溫(wen)燒結,包(bao)括氮(dan)化鋁(lv)起始(shi)粉料選(xuan)(xuan)擇(ze),添加物的(de)選(xuan)(xuan)擇(ze)以及(ji)燒結工(gong)藝(yi)參數(shu)的(de)選(xuan)(xuan)擇(ze)。其(qi)特征(zheng)在于(yu):(1)以碳熱還原法(fa)及(ji)高溫(wen)自(zi)蔓延(yan)合成法(fa)制備的(de)AlN粉體(ti)為(wei)起始(shi)。
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微波燒結(jie)設備(bei)紙(zhi)箱刀具綠碳(tan)化(hua)硅砂倒角刀具優(you)質刀具泰珂洛刀具導熱(re)/導熱(re)粉(fen)/氮化(hua)鋁(lv)/氮化(hua)鋁(lv)粉(fen)導熱(re)/導熱(re)粉(fen)/氮化(hua)鋁(lv)/氮化(hua)鋁(lv)粉(fen)填充/填充劑/。
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本(ben)發明目的(de)(de)是(shi)提供一種能保持10#+〔8〕Ω.cm或更大的(de)(de)體(ti)積電阻率的(de)(de)氮化鋁燒結體(ti),能保證覆蓋能力,大的(de)(de)輻(fu)射熱量和用(yong)溫度(du)顯(xian)示器測定時(shi)的(de)(de)準確度(du)。本(ben)發明的(de)(de)含碳氮化。
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一種氮化鋁燒結(jie)體,其特(te)征在于(yu)包(bao)含1-10%(重量)從周期表Ⅲa族元素、Ca、Sr、Ba中(zhong)選擇的少。
氮化鋁陶瓷的低溫燒結
華順系列陶(tao)(tao)瓷(ci)(ci)覆銅板(氮(dan)化(hua)鋁、氧化(hua)鋁、氮(dan)化(hua)硅(gui))燒結爐(lu)廣泛應(ying)用於陶(tao)(tao)瓷(ci)(ci)覆銅板(DBC0在保護氣氛中的鍵合、熱處理等工(gong)序。設備針對陶(tao)(tao)瓷(ci)(ci)復合的特(te)殊工(gong)藝特(te)點設計(ji)了(le)專有(you)的。
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氮化鋁燒結體及其制造方法-96190015-錢眼
[圖文(wen)]3.2.5高(gao)壓(ya)設備的高(gao)精度控制系統3.2.6腔體(ti)介質材料的選擇(ze)3.2.7加熱源石墨3.3高(gao)壓(ya)燒(shao)結腔體(ti)設計3.4高(gao)壓(ya)燒(shao)結AlN陶瓷制備工藝流程3.4.1高(gao)壓(ya)燒(shao)結AlN。
氮化鋁陶瓷覆銅板設備及工藝提供工業電爐-中國供應商
論文天下(xia)提(ti)供的<AlN粉末的制(zhi)(zhi)備、低溫(wen)燒結及其(qi)注射成形(xing)技術的研究;論文包括氮化鋁(lv)陶瓷材料(liao)注射成形(xing)低溫(wen)燒結復合陶瓷制(zhi)(zhi)備低溫(wen)燒結注射等其(qi)他相關內容論文。
氮化鋁陶瓷-博庫網
本(ben)發明(ming)提供一(yi)種高純度氮化鋁(lv)燒結(jie)體(ti),其在氮化鋁(lv)燒結(jie)體(ti)制造時(shi),有效地除去原料(liao)粉(fen)末中所(suo)含的(de)氧化物,且通過原料(liao)粉(fen)末中所(suo)含的(de)氧化物與(yu)燒結(jie)助劑反(fan)應來防止生(sheng)成的(de)復合(he)氧化。
氮化鋁陶瓷燒結質量管理(2書+2光盤)-圖書價格:290-理科工程技術
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氮化鋁陶瓷:亞馬遜:圖書
熱(re)壓燒結(jie)(jie)(jie)AlN陶瓷(ci),以(yi)(yi)自蔓延高溫合成(SHS)的AlN粉體(ti)為原料,以(yi)(yi)Y2O3-B2O3-CaF2和(he)YF3-B-CaF2系為燒結(jie)(jie)(jie)助(zhu)劑,采(cai)用熱(re)壓燒結(jie)(jie)(jie)工藝制備(bei)AlN陶瓷(ci)。結(jie)(jie)(jie)果表明,采(cai)用燒結(jie)(jie)(jie)助(zhu)劑,在。
AlN粉末的制備低溫燒結及其注射成形技術的研究-收費碩士博士
本(ben)論(lun)文探索(suo)了AlN陶瓷的(de)(de)燒(shao)結技(ji)術,利用本(ben)實驗(yan)室原位(wei)合成(cheng)技(ji)術合成(cheng)的(de)(de)AlN粉末制備出了高(gao)(gao)致密,高(gao)(gao)導熱(re)的(de)(de)AlN陶瓷。研究了AlN陶瓷的(de)(de)常壓燒(shao)結技(ji)術。通(tong)過熱(re)力學條件和相圖的(de)(de)。
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供應燒結(jie)低溫燒結(jie)陶(tao)瓷燒結(jie)氮化鋁價格:200.00賣家:楊先生(sheng)聯系:15818721055咨詢[5*-00*-0067]耐熱和/或耐火(huo)纖維材料的生(sheng)產(chan)方法及設備(bei)[5*-*3-0068]。
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研磨(mo)(mo)設(she)備;壓(ya)制和燒(shao)結設(she)備;磨(mo)(mo)刷輪;鉆頭環(huan);電子元器件;粉體材料;氮化鋁(lv)基(ji)板;拋光夾具;主營行(xing)業:研磨(mo)(mo)設(she)備;壓(ya)制和燒(shao)結所在地(di):上海上海市(shi)長寧區天山供應產品:。
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41、含碳的(de)氮(dan)(dan)化鋁(lv)(lv)燒結體以及用于半導體制造檢測設備的(de)陶(tao)(tao)瓷(ci)基材收錄氮(dan)(dan)化鋁(lv)(lv)陶(tao)(tao)瓷(ci)相關期刊文(wen)獻151項(xiang)1、海門建(jian)成氮(dan)(dan)化硅陶(tao)(tao)瓷(ci)基地2、高壓氮(dan)(dan)氣中自(zi)蔓延(yan)燃燒合成氮(dan)(dan)化鋁(lv)(lv)。
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抗折強(qiang)度高,可以(yi)常壓在1600°C燒結,是一種高功率集成電路基片的未來使(shi)用材料(liao)晉盈科技發(fa)展有(you)限(xian)公(gong)司(si)樂意提供氮化鋁AlN整線設備,研發(fa)生產光(guang)傳輸特性優良的基片。
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32CN00809591.4半導體(ti)加工設(she)備的防腐組件及其制造方法33CN02106821.6用(yong)于(yu)半導體(ti)和功率(lv)模件的絕緣襯底板34CN02115663.8放(fang)電(dian)等離(li)子(zi)燒(shao)結法制備氮化鋁透明陶(tao)瓷35。